摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-12页 |
第1章 绪论 | 第12-23页 |
·杂环类席夫碱研究现状 | 第12-13页 |
·量子点的制备及功能化修饰 | 第13-18页 |
·在有机体系中合成 | 第13-14页 |
·在水溶液中合成 | 第14-16页 |
·量子点的功能化修饰 | 第16-18页 |
·巯基化合物修饰 | 第16-17页 |
·核壳化修饰量子点 | 第17页 |
·聚合物修饰 | 第17-18页 |
·静电子修饰 | 第18页 |
·水溶性量子点的分析应用 | 第18-20页 |
·在生物医学中的应用研究 | 第18-19页 |
·在分析检测中的应用研究 | 第19-20页 |
·席夫碱化合物光谱量子化学研究现状 | 第20-21页 |
·本论文的研究目的和研究意义 | 第21页 |
·本论文的研究内容与研究方法 | 第21-23页 |
第2章 杂环类席夫碱的合成、表征及其晶体结构研究 | 第23-54页 |
·引言 | 第23页 |
·主要试剂和仪器 | 第23-24页 |
·主要试剂 | 第23-24页 |
·主要仪器 | 第24页 |
·实验方法 | 第24-28页 |
·合成方法 | 第24-28页 |
·-氨基安替比林席夫碱(L1、L2、L3)的合成方法 | 第24-26页 |
·噻吩2甲醛席夫碱(L4、L5、L6)的合成方法 | 第26-28页 |
·结果与讨论 | 第28-52页 |
·X-射线单晶衍射分析 | 第28-45页 |
·席夫碱L1晶体结构分析 | 第28-31页 |
·席夫碱L2晶体结构分析 | 第31-35页 |
·席夫碱L3晶体结构分析 | 第35-38页 |
·席夫碱L4晶体结构分析 | 第38-42页 |
·席夫碱L6晶体结构分析 | 第42-45页 |
·红外光谱(IR)分析 | 第45-46页 |
·紫外-可见光谱(UV-Vis)分析 | 第46-48页 |
·荧光光谱分析 | 第48-49页 |
·热重(TG/DTG)分析 | 第49-51页 |
·核磁共振氢谱 | 第51-52页 |
·本章小结 | 第52-54页 |
第3章 4-氨基安替比林席夫碱修饰CdTe量子点制备及荧光开关性质研究 | 第54-67页 |
·引言 | 第54-55页 |
·主要试剂和仪器 | 第55-56页 |
·主要试剂 | 第55页 |
·主要仪器 | 第55-56页 |
·实验方法 | 第56-57页 |
·4-氨基安替比林席夫碱修饰CdTe量子点 | 第56页 |
·巯基乙酸稳定CdTe量子点的制备 | 第56页 |
·修饰CdTe量子点的制备 | 第56页 |
·4-氨基安替比林席夫碱修饰CdTe量子点作为荧光开光检测铅离子的方法 | 第56-57页 |
·测试方法 | 第57页 |
·CdTe量子点结构表征 | 第57页 |
·4-氨基安替比林席夫碱修饰CdTe量子点结构表征 | 第57页 |
·结果与讨论 | 第57-66页 |
·CdTe量子点结构表征与分析 | 第57-60页 |
·红外光谱分析 | 第57-58页 |
·紫外光谱分析 | 第58-59页 |
·荧光光谱分析 | 第59-60页 |
·X-射线粉末衍射分析 | 第60页 |
·4-氨基安替比林缩 2,5-二羟基苯甲醛席夫碱修饰CdTe量子点结构表征分析 | 第60-63页 |
·4-氨基安替比林缩 2,5-二羟基苯甲醛席夫碱修饰CdTe量子点合成的条件优化 | 第60-62页 |
·4-氨基安替比林缩 2,5-二羟基苯甲醛席夫碱浓度的影响 | 第60-61页 |
·修饰过程中pH值的影响 | 第61-62页 |
·X-射线光电子能谱(XPS)分析 | 第62-63页 |
·4-氨基安替比林缩 2,5-二羟基苯甲醛席夫碱修饰CdTe量子点检测金属离子荧光响应特性 | 第63-64页 |
·反应机理分析 | 第64-65页 |
·干扰离子的影响 | 第65-66页 |
·环境水样分析 | 第66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
第4章 噻吩2甲醛席夫碱修饰CdTe量子点荧光探针的制备及分析应用 | 第67-81页 |
·引言 | 第67页 |
·主要试剂和仪器 | 第67-69页 |
·主要试剂 | 第67-68页 |
·主要仪器 | 第68-69页 |
·实验方法 | 第69-70页 |
·噻吩2甲醛缩L-半胱氨酸席夫碱修饰CdTe量子点方法 | 第69-70页 |
·β-巯基乙胺稳定CdTe量子点的制备 | 第69页 |
·修饰CdTe量子点的制备 | 第69-70页 |
·噻吩2甲醛席夫碱修饰CdTe量子点检测超氧阴离子自由基的方法 | 第70页 |
·CA-CdTe量子点结构表征方法 | 第70-71页 |
·结果与讨论 | 第71-80页 |
·CA-CdTe量子点的结构分析 | 第71-74页 |
·FT-IR光谱分析 | 第71页 |
·UV-Vis光谱分析 | 第71-73页 |
·荧光光谱分析 | 第73-74页 |
·X-射线粉末衍射分析 | 第74页 |
·噻吩2甲醛席夫碱修饰CA-CdTe量子点的结构表征 | 第74-77页 |
·红外光谱分析 | 第74-75页 |
·热重分析 | 第75-76页 |
·噻吩2甲醛席夫碱量对CA-CdTe量子点荧光的影响 | 第76-77页 |
·噻吩2甲醛席夫碱修饰CdTe量子点检测超氧阴离子自由基 | 第77-79页 |
·干扰物质对噻吩2甲醛席夫碱修饰CdTe量子点检测朝阳阴离子自由基的影响 | 第79-80页 |
·本章小结 | 第80-81页 |
第5章 噻吩2甲醛缩L半胱氨酸Schiff碱共价结合Cd Te量子点修饰金电极循环伏安法测定柠檬黄 | 第81-94页 |
·引言 | 第81页 |
·主要试剂和仪器 | 第81-83页 |
·主要试剂 | 第81-82页 |
·主要仪器 | 第82-83页 |
·实验方法 | 第83-85页 |
·溶液的配制和电极的预处理 | 第83-84页 |
·纳米金粒子的制备 | 第83页 |
·碲化镉量子点的制备 | 第83页 |
·配制噻吩 2-甲醛缩L-半胱氨酸席夫碱镍配合物溶液 | 第83页 |
·配制 1-(3-二甲氨基丙烷)3乙基碳二亚胺(EDAC)与羟基琥珀酰亚胺(NHS)混合溶液 | 第83-84页 |
·配制含有 0.1mol/LKC l的 0.5mmol/L[Fe(CN)6]3-/4-溶液 | 第84页 |
·配制不同浓度柠檬黄溶液 | 第84页 |
·金盘电极的预处理 | 第84页 |
·修饰电极的制备 | 第84-85页 |
·修饰电极电化学表征方法 | 第85页 |
·柠檬黄浓度检测方法 | 第85页 |
·结果与讨论 | 第85-93页 |
·Au/L-cys/AuNPS/L-cys/C A-CdTe/N i-L5电极的制备 | 第85-86页 |
·Au/L-cys/AuNPS/L-cys/C A-CdTe/N i-L5电极的SEM表征 | 第86-87页 |
·Au/L-cys/AuNPS/L-cys/C A-CdTe/N i-L5电极的电化学性质 | 第87-89页 |
·柠檬黄在Au/L-cys/AuNPS/L-cys/CA-CdTe/N i-L5电极上电氧化 | 第89-90页 |
·柠檬黄在Au/L-cys/AuNPS/L-cys/CA-CdTe/N i-L5电极上的工作曲线 | 第90-91页 |
·扫描速率 | 第91页 |
·干扰实验 | 第91-92页 |
·分析应用 | 第92页 |
·修饰电极的稳定性和重现性 | 第92-93页 |
·本章小结 | 第93-94页 |
第6章 杂环类席夫碱化合物谱学性质量子化学研究 | 第94-104页 |
·引言 | 第94页 |
·计算方法 | 第94-95页 |
·结果与讨论 | 第95-103页 |
·构像分析 | 第95-99页 |
·红外光谱 | 第99-101页 |
·紫外光谱 | 第101-102页 |
·荧光光谱 | 第102-103页 |
·本章小结 | 第103-104页 |
第7章 全文总结 | 第104-107页 |
·主要内容 | 第104-105页 |
·主要创新点 | 第105-106页 |
·展望 | 第106-107页 |
参考文献 | 第107-118页 |
附录I 合成的六种杂环类席夫碱红外图谱 | 第118-121页 |
附录II 六种杂环类席夫碱目标产物的核磁共振氢谱 | 第121-124页 |
申请学位期间的研究成果及发表的学术论文 | 第124-126页 |
致谢 | 第126页 |