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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--CMOS工艺静电保护电路与器件的特性分析和优化设计
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CMOS工艺静电保护电路与器件的特性分析和优化设计
 
     论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-14页
符号对照表第14-15页
缩略语对照表第15-19页
第一章 绪论第19-31页
   ·选题缘由和意义第20-23页
   ·ESD防护基本原理第23-28页
     ·集成电路ESD防护基本原理第23-24页
     ·全芯片ESD防护策略第24-25页
     ·常见ESD防护手段第25-28页
   ·本文内容安排第28-31页
第二章 ESD测试、失效分析和工艺影响第31-47页
   ·静电放电测试类型第31-36页
   ·静电放电测试方案第36-40页
     ·测试模型分类第36-38页
     ·具体测试排列第38-39页
     ·失效判断标准第39-40页
   ·失效分析第40-43页
     ·失效分析的重要作用第41页
     ·主要失效现象第41-42页
     ·失效检测方法第42页
     ·失效分析后对电路的改进第42-43页
   ·工艺对ESD防护的影响第43-46页
     ·工艺步骤对ESD的影响第43-45页
     ·宏观电路发展对ESD的影响第45页
     ·ESD电路和芯片内部电路集成第45-46页
   ·本章小结第46-47页
第三章 SCR器件研究与设计第47-67页
   ·ESD保护器件基础第47-49页
   ·SCR器件物理第49-59页
     ·雪崩击穿第50-51页
     ·SCR的开启电压第51-53页
     ·SCR的保持电压第53-54页
     ·衬底触发的SCR第54-56页
     ·ESD器件仿真理论第56-59页
   ·现有SCR改进技术第59-63页
     ·降低触发电压第59-60页
     ·提高保持电压第60-62页
     ·减小寄生电容第62-63页
   ·SCR结构优化第63-65页
   ·本章小结第65-67页
第四章 ESD电源箝位电路设计第67-93页
   ·典型ESD电源箝位电路第67-73页
     ·RC网络第67-70页
     ·基本RC触发的箝位电路第70-73页
   ·双下拉路径ESD电源箝位电路第73-76页
   ·纳米级CMOS工艺的栅极漏电问题第76-80页
     ·MOS结构的栅极漏电第76-77页
     ·低漏电设计思想第77-78页
     ·低漏电设计实例第78-80页
   ·纳米级工艺低漏电ESD电源箝位电路第80-84页
     ·改进RC网络型箝位电路第80-82页
     ·利用栅极漏电触发的箝位电路第82-84页
   ·电压触发型ESD电源箝位电路第84-91页
     ·传统电压触发型ESD电源箝位电路第84-86页
     ·改进电压触发型ESD电源箝位电路第86-91页
   ·本章小结第91-93页
第五章 高压容限ESD箝位电路设计第93-111页
   ·高压容限接.电路及其全芯片ESD防护体系第93-96页
   ·现有高压容限ESD箝位电路第96-101页
   ·0.18微米工艺高压容限ESD箝位电路设计第101-104页
     ·带Deep N-well工艺第101-103页
     ·不带Deep N-well工艺第103-104页
   ·90nm工艺高压容限ESD箝位电路设计第104-110页
     ·利用栅极漏电触发型第105-107页
     ·不带Deep N-well型第107-110页
   ·本章小结第110-111页
第六章 结论和展望第111-113页
   ·本文的主要贡献第111-112页
   ·今后的研究和发展方向第112-113页
参考文献第113-123页
致谢第123-125页
作者简介第125-127页

 
 
论文编号BS2436472,这篇论文共127
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