致谢 | 第7-8页 |
摘要 | 第8-9页 |
Abstract | 第9-10页 |
第一章 绪论 | 第17-29页 |
1.1 引言 | 第17-18页 |
1.2 发光材料发展概述 | 第18-22页 |
1.2.1 发光材料分类 | 第18-20页 |
1.2.2 聚集诱导发光增强(AIEE)现象 | 第20-21页 |
1.2.3 发光材料的顺反异构现象 | 第21-22页 |
1.3 胆甾相液晶的体系概述 | 第22-27页 |
1.3.1 液晶材料的起源与发展 | 第22-23页 |
1.3.2 胆甾相液晶的分类与性能 | 第23-24页 |
1.3.3 胆甾相液晶的研究及应用 | 第24-27页 |
1.4 课题研究背景 | 第27-28页 |
1.5 本文研究内容 | 第28-29页 |
第二章 α-氰基取代二苯乙烯衍生物(CN-APHP)的合成及表征 | 第29-36页 |
2.1 引言 | 第29页 |
2.2 实验材料及仪器设备 | 第29-30页 |
2.3 目标化合物的结构式 | 第30页 |
2.4 目标化合物分子的合成路线及结构表征 | 第30-32页 |
2.5 目标化合物的性能研究 | 第32-35页 |
2.5.1 液晶性质 | 第32页 |
2.5.2 发光性能及AIEE效应 | 第32-34页 |
2.5.3 发光各向异性 | 第34-35页 |
2.6 本章小结 | 第35-36页 |
第三章 基于掺杂胆甾相液晶的荧光分子的电控多稳态器件制备 | 第36-46页 |
3.1 引言 | 第36-37页 |
3.2 实验材料及仪器设备 | 第37页 |
3.3 实验条件对液晶器件制备的影响 | 第37-39页 |
3.3.1 手性添加剂含量对液晶器件相态形成的影响 | 第37-38页 |
3.3.2 液晶盒盒厚对液晶器件相态形成的影响 | 第38-39页 |
3.4 多稳态液晶器件的制备 | 第39-41页 |
3.5 多稳态液晶器件的性能表征 | 第41-45页 |
3.5.1 多稳态液晶器件光电性能和发光性能的曲线表征 | 第42-43页 |
3.5.2 多稳态液晶器件电控连续可调性的曲线表征 | 第43-45页 |
3.5.3 多稳态液晶器件稳定性的曲线表征 | 第45页 |
3.6 本章小结 | 第45-46页 |
第四章 α-氰基取代二苯乙烯型衍生物光致/热致异构行为 | 第46-56页 |
4.1 引言 | 第46页 |
4.2 实验材料及仪器设备 | 第46-47页 |
4.3 顺反式α-氰基取代二苯乙烯型衍生物的制备 | 第47页 |
4.3.1 反式α-氰基取代二苯乙烯型衍生物((Z)-CN-APHP)的制备 | 第47页 |
4.3.2 顺式α-氰基取代二苯乙烯型衍生物((E)-CN-APHP)的制备 | 第47页 |
4.4 α-氰基取代二苯乙烯型衍生物光致异构行为 | 第47-53页 |
4.4.1 顺反式α-氰基取代二苯乙烯型衍生物的基本性能表征 | 第47-51页 |
4.4.2 顺反式α-氰基取代二苯乙烯型衍生物的光致异构行为 | 第51-53页 |
4.5 α-氰基取代二苯乙烯型衍生物热致异构 | 第53-54页 |
4.6 本章小结 | 第54-56页 |
第五章 基于顺反异构原理的发光液晶分子不同荧光强度和不同偏振度的液晶器件制备 | 第56-65页 |
5.1 引言 | 第56-57页 |
5.2 实验材料及仪器设备 | 第57页 |
5.3 器件的制备方法 | 第57-58页 |
5.4 基于顺反异构原理的发光液晶分子不同荧光强度和不同偏振度的液晶器件制备 | 第58-64页 |
5.4.1 基于顺反异构发光液晶分子不同荧光强度的液晶器件制备 | 第58-61页 |
5.4.2 基于顺反异构体发光偏振度差异性的荧光器件制备 | 第61-64页 |
5.5 本章小结 | 第64-65页 |
第六章 结论 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-74页 |
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第74页 |
1) 参加的学术交流与科研项目 | 第74页 |
2) 发表的学术论文(含专利和软件著作权) | 第74页 |
3) 获得的学术奖励 | 第74页 |