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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--HfxZr(1-x)O2铁电薄膜的制备与电性能研究
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HfxZr(1-x)O2铁电薄膜的制备与电性能研究
 
     论文目录
 
摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-24页
    1.1 铁电材料与铁电薄膜第11-15页
        1.1.1 铁电材料的特性第11-12页
        1.1.2 铁电材料的分类第12-14页
        1.1.3 铁电薄膜材料的研究背景及发展现状第14-15页
    1.2 Hf_xZr_((1-x))O_2薄膜及其铁电性第15-22页
        1.2.1 HfO_2概述第15-17页
        1.2.2 ZrO_2概述第17-18页
        1.2.3 Hf_xZr_((1-x))O_2薄膜及其铁电性第18-20页
        1.2.4 电极材料对薄膜结构及性能的影响第20-22页
    1.3 论文选题方案及其结构安排第22-24页
第二章 Hf_xZr_((1-x))O_2薄膜的制备工艺及结构与性能分析方法第24-34页
    2.1 脉冲激光沉积(PLD)制备方法简介第24-26页
    2.2 薄膜结构理论及表征方法第26-31页
        2.2.1 薄膜成核理论第26-27页
        2.2.2 X射线衍射分析(XRD)第27-28页
        2.2.3 原子力显微镜(AFM)第28-30页
        2.2.4 扫描电子显微镜(SEM)第30-31页
    2.3 HZO薄膜的电学性能测试第31-34页
        2.3.1 底电极与顶电极的制备第31-32页
        2.3.2 薄膜铁电性能的测试第32页
        2.3.3 薄膜绝缘性能的测试第32-33页
        2.3.4 薄膜介电性能的测试第33-34页
第三章 Pt/Si衬底上Hf)xZr_((1-x))O_2薄膜的生长研究及性能测试第34-51页
    3.1 Hf_xZr_((1-x))O_2靶材的制备第34-36页
    3.2 Hf_(0.2)Zr_(0.8)O_2薄膜工艺参数的探索第36-42页
        3.2.1 氧分压对Hf_(0.2)Zr_(0.8)O_2薄膜的影响第36-39页
        3.2.2 温度对Hf_(0.2)Zr_(0.8)O_2薄膜的影响第39-40页
        3.2.3 最佳工艺参数下Hf_(0.2)Zr_(0.8)O_2薄膜的结构与性能特征第40-42页
    3.3 Zr含量对Hf_xZr_((1-x))O_2薄膜结构及性能的作用第42-49页
        3.3.1 不同Zr含量下薄膜最优工艺参数探索第43页
        3.3.2 Zr含量对薄膜结构的作用第43-44页
        3.3.3 Zr含量对薄膜性能的作用第44-47页
        3.3.4 最佳组分比下薄膜的结构与性能分析第47-49页
    3.4 本章小结第49-51页
第四章 电极材料对HZO铁电薄膜结构及性能的影响第51-68页
    4.1 不同电极结构的制备第51-54页
    4.2 电极材料对薄膜结构的作用第54-56页
    4.3 电极材料对HZO薄膜性能的作用第56-59页
        4.3.1 不同电极下薄膜的极化性能第56-57页
        4.3.2 不同电极下薄膜的绝缘性能第57-59页
    4.4 TiN/HZO/TiN结构薄膜性能初探第59-66页
        4.4.1 温度对TiN/HZO/TiN的影响第59-60页
        4.4.2 氧分压对TiN/HZO/TiN的影响第60-61页
        4.4.3 TiN/HZO/TiN薄膜的结构和性能分析第61-66页
    4.5 本章小结第66-68页
第五章 结论第68-70页
致谢第70-71页
参考文献第71-76页
作者攻硕期间取得的成果第76-77页

 
 
论文编号BS3915022,这篇论文共77
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