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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--未掺杂InN以及Mg掺杂InN材料的表征及快速退火特性研究
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未掺杂InN以及Mg掺杂InN材料的表征及快速退火特性研究
 
     论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 绪论第11-26页
 §1.1 Ⅲ族氮化物半导体材料背景概述第11-17页
  §1.1.1 Ⅲ族氮化物材料基本特点第12-14页
  §1.1.2 InN材料性质及研究历程第14-15页
  §1.1.3 MOCVD生长技术第15-17页
 §1.2 X射线衍射第17-18页
 §1.3 光致发光第18-19页
  §1.3.1 光致发光基本原理第18页
  §1.3.2 光致发光测量系统第18-19页
 §1.4 其它表征研究手段介绍第19-22页
  §1.4.1 霍尔效应第19-20页
  §1.4.2 拉曼散射技术第20-21页
  §1.4.3 扫描电子显微镜第21页
  §1.4.4 原子力显微镜第21-22页
 §1.5 论文主要研究内容第22-23页
 参考文献第23-26页
第二章 InN生长及位错分析第26-41页
 §2.1 引言第26-27页
 §2.2 材料生长及表面形貌第27-29页
  §2.2.1 InN材料MOCVD生长第27页
  §2.2.2 InN样品表面形貌第27-29页
 §2.3 XRD分析材料位错密度第29-35页
  §2.3.1 马赛克微晶模型第29-30页
  §2.3.2 InN材料位错密度计算第30-35页
 §2.4 材料应力研究第35-37页
 §2.5 本章小结第37-39页
 参考文献第39-41页
第三章 InN薄膜快速退火性质研究第41-50页
 §3.1 引言第41-42页
 §3.2 Mg掺杂InN快速退火性质研究第42-44页
 §3.3 未掺杂InN快速退火性质研究第44-47页
 §3.4 本章小结第47-49页
 参考文献第49-50页
第四章 InN的光致发光性质研究第50-57页
 §4.1 半导体能带结构第50-51页
 §4.2 PL谱与载流子浓度关系第51-52页
 §4.3 PL谱随温度的变化关系第52-54页
 §4.4 本章小结第54-56页
 参考文献第56-57页
第五章 结论第57-59页
硕士期间发表学术论文和参加学术会议情况第59-60页
致谢第60-62页

 
 
论文编号BS1916523,这篇论文共62
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