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纳米晶及纳米叠层基电荷俘获型存储器的研究
 
     论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-13页
第一章 绪论第13-36页
   ·引言第13页
   ·存储器简介第13-16页
     ·存储器分类第13-15页
     ·非易失性存储器应用市场第15-16页
   ·几种典型非易失性存储器第16-29页
     ·铁电存储器第16-17页
     ·阻变存储器第17-19页
     ·相变存储器第19页
     ·磁存储器第19-20页
     ·浮栅型存储器第20-22页
     ·电荷俘获型存储器第22-29页
   ·本论文工作的意义、目的和内容第29-31页
 参考文献第31-36页
第二章 电荷俘获型存储器工作机制和可靠性第36-44页
   ·写入和擦除机制第36-40页
     ·量子隧穿第37-38页
     ·热电子注入第38-39页
     ·读取机制第39-40页
   ·可靠性第40-42页
     ·抗疲劳性能力第40页
     ·数据保持能力第40-42页
 参考文献第42-44页
第三章 存储单元制备及其性能表征第44-57页
   ·薄膜制备工艺第44-50页
     ·原子层沉积技术第44-48页
       ·原子层沉积的应用和原理第44-46页
       ·前驱体第46页
       ·本实验所用ALD系统简介第46-48页
     ·脉冲激光沉积系统简介第48-49页
       ·PLD技术原理第48-49页
       ·陶瓷靶材制备第49页
     ·直流磁控溅射系统第49-50页
   ·薄膜的成分、形貌及结晶形态第50-51页
   ·存储器件的制备和测试第51-53页
     ·存储器件的制备第51-52页
     ·存储器件的电学性能测试第52-53页
   ·本章小结第53-54页
 参考文献第54-57页
第四章 ZrO_2纳米晶基存储单元存储性能研究第57-69页
   ·引言第57页
   ·(ZrO_2)_(0.8)(SiO_2)_(0.2)薄膜的XRD和XPS分析第57-60页
   ·ZrO_2纳米晶基电荷俘获型存储单元的制备及电学性能第60-65页
   ·本章小结第65-67页
 参考文献第67-69页
第五章 ZrO_2纳米晶尺寸、密度对器件性能的影响第69-85页
   ·引言第69页
   ·ZSO薄膜XRD分析第69-70页
   ·ZSO薄膜结晶动力学分析第70-73页
   ·ZrO_2纳米晶基电荷俘获型存储单元设计和微观结构第73-75页
   ·ZrO_2纳米晶基电荷俘获型存储单元的电学性能第75-79页
   ·ZrO_2纳米晶基电荷俘获型存储单元异质结构能带排列第79-81页
   ·本章小结第81-83页
 参考文献第83-85页
第六章 ZrO_2/Al2O_3纳米叠层基存储单元存储性能研究第85-97页
   ·引言第85-86页
   ·ZrO_2/Al2O_3纳米叠层基存储单元制备及微观结构第86-87页
   ·ZrO_2/Al2O_3纳米叠层基存储单元的电学性能第87-90页
   ·ZrO_2/Al2O_3纳米叠层基存储单元体系的能带排列第90-93页
   ·本章小结第93-95页
 参考文献第95-97页
第七章 结论和展望第97-100页
   ·结论第97-99页
   ·展望第99-100页
攻读博士期间发表的论文第100-102页
申请的专利第102-103页
致谢第103-104页

 
 
论文编号BS373,这篇论文共104
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