| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-36页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·存储器简介 | 第13-16页 |
| ·存储器分类 | 第13-15页 |
| ·非易失性存储器应用市场 | 第15-16页 |
| ·几种典型非易失性存储器 | 第16-29页 |
| ·铁电存储器 | 第16-17页 |
| ·阻变存储器 | 第17-19页 |
| ·相变存储器 | 第19页 |
| ·磁存储器 | 第19-20页 |
| ·浮栅型存储器 | 第20-22页 |
| ·电荷俘获型存储器 | 第22-29页 |
| ·本论文工作的意义、目的和内容 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-36页 |
| 第二章 电荷俘获型存储器工作机制和可靠性 | 第36-44页 |
| ·写入和擦除机制 | 第36-40页 |
| ·量子隧穿 | 第37-38页 |
| ·热电子注入 | 第38-39页 |
| ·读取机制 | 第39-40页 |
| ·可靠性 | 第40-42页 |
| ·抗疲劳性能力 | 第40页 |
| ·数据保持能力 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章 存储单元制备及其性能表征 | 第44-57页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第44-50页 |
| ·原子层沉积技术 | 第44-48页 |
| ·原子层沉积的应用和原理 | 第44-46页 |
| ·前驱体 | 第46页 |
| ·本实验所用ALD系统简介 | 第46-48页 |
| ·脉冲激光沉积系统简介 | 第48-49页 |
| ·PLD技术原理 | 第48-49页 |
| ·陶瓷靶材制备 | 第49页 |
| ·直流磁控溅射系统 | 第49-50页 |
| ·薄膜的成分、形貌及结晶形态 | 第50-51页 |
| ·存储器件的制备和测试 | 第51-53页 |
| ·存储器件的制备 | 第51-52页 |
| ·存储器件的电学性能测试 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 第四章 ZrO_2纳米晶基存储单元存储性能研究 | 第57-69页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·(ZrO_2)_(0.8)(SiO_2)_(0.2)薄膜的XRD和XPS分析 | 第57-60页 |
| ·ZrO_2纳米晶基电荷俘获型存储单元的制备及电学性能 | 第60-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第五章 ZrO_2纳米晶尺寸、密度对器件性能的影响 | 第69-85页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·ZSO薄膜XRD分析 | 第69-70页 |
| ·ZSO薄膜结晶动力学分析 | 第70-73页 |
| ·ZrO_2纳米晶基电荷俘获型存储单元设计和微观结构 | 第73-75页 |
| ·ZrO_2纳米晶基电荷俘获型存储单元的电学性能 | 第75-79页 |
| ·ZrO_2纳米晶基电荷俘获型存储单元异质结构能带排列 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第六章 ZrO_2/Al2O_3纳米叠层基存储单元存储性能研究 | 第85-97页 |
| ·引言 | 第85-86页 |
| ·ZrO_2/Al2O_3纳米叠层基存储单元制备及微观结构 | 第86-87页 |
| ·ZrO_2/Al2O_3纳米叠层基存储单元的电学性能 | 第87-90页 |
| ·ZrO_2/Al2O_3纳米叠层基存储单元体系的能带排列 | 第90-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-97页 |
| 第七章 结论和展望 | 第97-100页 |
| ·结论 | 第97-99页 |
| ·展望 | 第99-100页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第100-102页 |
| 申请的专利 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
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