| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-32页 |
| ·研究背景 | 第12-13页 |
| ·半导体光催化的反应原理 | 第13-15页 |
| ·半导体光催化反应的基本途径 | 第13-15页 |
| ·半导体光催化剂催化活性的影响因素及改性 | 第15-21页 |
| ·影响半导体光催化活性的因素 | 第15-20页 |
| ·半导体的能带位置 | 第15-17页 |
| ·半导体的晶相结构 | 第17-19页 |
| ·半导体的粒径 | 第19页 |
| ·半导体的表面羟基 | 第19-20页 |
| ·半导体的形貌 | 第20页 |
| ·半导体催化剂的改性 | 第20-21页 |
| ·低价态金属离子掺杂 | 第20-21页 |
| ·半导体光催化剂的合成 | 第21-24页 |
| ·水热与溶剂热法 | 第21-22页 |
| ·高温固相反应法 | 第22页 |
| ·胶体化学合成法 | 第22-24页 |
| ·半导体光催化技术的应用 | 第24-25页 |
| ·光催化在光降解方面的应用 | 第24页 |
| ·光催化分解水制氢 | 第24-25页 |
| ·作为载体与贵金属生成复合催化剂 | 第25页 |
| ·本论文的选题依据和研究内容 | 第25-28页 |
| 参考文献 | 第28-32页 |
| 第2章 歧化反应法制备带隙可控的高效可见光催化活性的Sn~(2+)掺杂的SnO_(2-x)纳米材料 | 第32-54页 |
| 摘要 | 第32-33页 |
| ·引言 | 第33-35页 |
| ·实验步骤 | 第35-36页 |
| ·非化学计量比SnO_(2-x)的合成 | 第35页 |
| ·样品的表征 | 第35页 |
| ·光降解性能测试 | 第35-36页 |
| ·实验结果与讨论 | 第36-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 第3章 溶液法合成六方纤锌矿衍生结构的AgGaS_2胶体纳米晶及其光催化性能研究 | 第54-68页 |
| 摘要 | 第54-55页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·实验步骤 | 第56-58页 |
| ·试剂 | 第56页 |
| ·前驱体二乙基二硫代氨基甲酸盐的制备 | 第56页 |
| ·斜方相AgGaS_2(AGS)纳米晶的制备 | 第56-57页 |
| ·不同配位溶剂对合成产物的影响 | 第57页 |
| ·样品的表征 | 第57页 |
| ·光降解性能测试 | 第57-58页 |
| ·实验结果与讨论 | 第58-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第4章 正交相铜锌锗硫(Cu_2ZnGeS_4)胶体纳米晶：可控晶相的合成,生长机理及光催化行为研究 | 第68-88页 |
| 摘要 | 第68-69页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·实验步骤 | 第70-72页 |
| ·试剂 | 第70页 |
| ·前驱体二乙基二硫代氨基甲酸铜(Cu(dtc)_2)的制备 | 第70-71页 |
| ·正交相Cu_2ZnGeS_4(CZGS)纳米晶的制备 | 第71页 |
| ·样品的表征 | 第71页 |
| ·光降解性能测试 | 第71-72页 |
| ·实验结果与讨论 | 第72-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-88页 |
| 第5章 新颖的yolk-shell二氧化铈负载金纳米催化剂的合成及催化加氢性能研究 | 第88-106页 |
| 摘要 | 第88-89页 |
| ·引言 | 第89-90页 |
| ·实验步骤 | 第90-92页 |
| ·试剂 | 第90页 |
| ·yolk-shell结构二氧化铈的合成 | 第90-91页 |
| ·金/二氧化铈复合催化剂的制备 | 第91页 |
| ·样品的表征 | 第91页 |
| ·催化对硝基苯酚加氢实验的性能测试 | 第91-92页 |
| ·实验结果与讨论 | 第92-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-106页 |
| 致谢 | 第106-108页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第108-109页 |
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