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坡莫合金畴壁磁电阻效应的研究
 
     论文目录
 
摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-25页
    1.1 引言第10-12页
    1.2 磁电阻效应第12-17页
        1.2.1 正常磁电阻效应(OMR)第12-13页
        1.2.2 各向异性磁电阻效应(AMR)第13-15页
        1.2.3 巨磁电阻效应(GMR)第15-16页
        1.2.4 隧道磁电阻效应(TMR)第16-17页
    1.3 畴壁第17-21页
        1.3.1 磁畴第17-18页
        1.3.2 畴壁第18-21页
    1.4 本论文的选题背景和主要研究方向第21-25页
        1.4.1 畴壁位置的确认第21-23页
        1.4.2 畴壁磁电阻的变化现象第23-25页
第二章 薄膜样品的制备流程第25-48页
    2.1 掩膜版的设计第26-27页
    2.2 硅片的清洗第27-29页
    2.3 磁控溅射镀膜第29-36页
        2.3.1 磁控溅射原理第29-30页
        2.3.2 磁控溅射设备第30-31页
        2.3.3 磁控溅射镀膜系统的操作步骤第31-32页
        2.3.4 磁控溅射镀膜流程第32-36页
    2.4 离子束刻蚀第36-41页
        2.4.1 覆盖掩膜版第37-38页
        2.4.2 离子束刻蚀第38-39页
        2.4.3 等离子清洗第39-40页
        2.4.4 制备顶电极第40-41页
    2.5 样品切割第41页
    2.6 薄膜样品的测试第41-48页
        2.6.1 振动样品磁强计(VSM)第41-44页
        2.6.2 磁电阻测试第44-45页
        2.6.3 磁光克尔显微镜第45-48页
第三章 结果与讨论第48-61页
    3.1 Co/Py横向异质结结构样品的畴壁磁电阻第48-55页
    3.2 在Py中掺杂了Cr、Cu的Co/Py横向异质结结构样品的畴壁磁电阻变化第55-61页
第四章 总结与展望第61-63页
参考文献第63-70页
致谢第70-72页
攻读硕士学位期间发表的学术论文和专利第72页

 
 
论文编号BS3565074,这篇论文共72
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