| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第6-18页 |
| 1.1 选题依据及意义 | 第6-11页 |
| 1.1.1 紫外探测器的发展与应用 | 第6-8页 |
| 1.1.2 SiC的基本性质与优势 | 第8-11页 |
| 1.2 SiC 紫外探测器发展现状 | 第11-15页 |
| 1.3 SiC MESFET 型紫外探测器的应用优势 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 4H-SiC MESFET 型紫外探测器工作原理及结构设计 | 第18-32页 |
| 2.1 MESFET 型紫外探测器的工作原理 | 第18-19页 |
| 2.2 MESFET 型紫外探测器的结构设计 | 第19-22页 |
| 2.3 器件仿真结果与分析 | 第22-29页 |
| 2.3.1 仿真原理简介 | 第22-24页 |
| 2.3.2 紫外参数的选取 | 第24-25页 |
| 2.3.3 器件性能仿真结果 | 第25-29页 |
| 2.4 MESFET 电极的选取 | 第29-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 4H-SiC MESFET 型紫外探测器的制备工艺和检测 | 第32-36页 |
| 3.1 器件结构参数 | 第32页 |
| 3.2 MESFET 器件的版图设计及制备工艺流程 | 第32-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 4H-SiC MESFET 制备工艺与过程检测 | 第36-43页 |
| 4.1 外延材料的制备 | 第36页 |
| 4.2 外延片的标准清洗 | 第36-37页 |
| 4.3 台面隔离制备 | 第37页 |
| 4.4 SiC的离子注入 | 第37-38页 |
| 4.5 SiC的热氧化 | 第38-39页 |
| 4.6 欧姆接触电极的形成和检测 | 第39-40页 |
| 4.7 肖特基接触电极的形成与测试 | 第40页 |
| 4.8 本章小结 | 第40-43页 |
| 第五章 结束语 | 第43-45页 |
| 致谢 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
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