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同质氧化铪双层膜的界面耦合与忆阻行为调制的研究 |
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论文目录 |
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摘要 | 第3-4页 | abstract | 第4-5页 | 第1章 引言 | 第9-32页 | 1.1 忆阻器件的电学基础 | 第9-12页 | 1.2 忆阻器件的导电机制 | 第12-17页 | 1.2.1 电化学金属化转变机制 | 第12-15页 | 1.2.2 价态转变机制 | 第15-17页 | 1.3 忆阻器件模拟突触可塑性的基础 | 第17-22页 | 1.3.1 突触结构及其信号传递机制 | 第17-18页 | 1.3.2 忆阻器件与突触的联系 | 第18-22页 | 1.4 忆阻器件在人工智能领域中的应用 | 第22-29页 | 1.4.1 忆阻器件在神经网络中的应用 | 第22-27页 | 1.4.2 忆阻器件实现算法功能 | 第27-29页 | 1.5 氧化铪作为电介质层材料的优势 | 第29-30页 | 1.6 本文的研究思路及内容 | 第30-32页 | 第2章 实验原理及实验方法 | 第32-38页 | 2.1 忆阻器件的制备工艺 | 第32-35页 | 2.1.1 基片清洗 | 第32页 | 2.1.2 图形掩膜制备 | 第32-33页 | 2.1.3 磁控溅射法沉积薄膜 | 第33-34页 | 2.1.4 薄膜真空退火工艺 | 第34-35页 | 2.2 材料结构与成分的表征 | 第35-37页 | 2.2.1 台阶仪 | 第35页 | 2.2.2 X射线衍射 | 第35页 | 2.2.3 X射线光电子能谱 | 第35页 | 2.2.4 俄歇电子能谱 | 第35-36页 | 2.2.5 导电原子力显微镜 | 第36页 | 2.2.6 高分辨透射电子显微镜 | 第36-37页 | 2.2.7 聚焦离子束 | 第37页 | 2.3 电学信号测试 | 第37-38页 | 第3章 W/HfO_y/HfO_x/Pt忆阻器实现多种突触可塑性 | 第38-49页 | 3.1 成分分析 | 第38-39页 | 3.2 基本电学性能与能量消耗 | 第39-43页 | 3.2.1 非线性传输特性 | 第39-40页 | 3.2.2 单一脉冲下的响应特性 | 第40-42页 | 3.2.3 可重复擦写性和保持特性 | 第42页 | 3.2.4 器件的能量消耗 | 第42-43页 | 3.3 多种突触可塑性的模拟 | 第43-48页 | 3.3.1 兴奋和抑制性突触后电流 | 第43-44页 | 3.3.2 频率相关可塑性 | 第44-46页 | 3.3.3 突触再可塑性 | 第46-47页 | 3.3.4 时间依赖可塑性 | 第47-48页 | 3.4 本章小结 | 第48-49页 | 第4章 双层氧化铪基忆阻器中的自适应晶粒动力学 | 第49-59页 | 4.1 自适应晶粒动力学行为 | 第49-55页 | 4.1.1 原始态与电初始化态器件的微结构表征 | 第49-50页 | 4.1.2 工作态器件微结构变化与电导的联系 | 第50-55页 | 4.2 晶粒转动模拟突触门控离子通道模型 | 第55-58页 | 4.3 本章小结 | 第58-59页 | 第5章 Ag/HfO_y/HfO_x/Pt忆阻器中晶粒动力学导电行为 | 第59-72页 | 5.1 电学性能 | 第59-64页 | 5.1.1 电流-电压曲线 | 第59-60页 | 5.1.2 高阻态保持特性与阈值电压 | 第60-61页 | 5.1.3 阈值转变的相关特性 | 第61-63页 | 5.1.4 循环特性 | 第63-64页 | 5.2 导电机理的分析 | 第64-69页 | 5.2.1 成分与结构表征 | 第64-67页 | 5.2.2 晶粒动力学与金属导电细丝的相互作用 | 第67-69页 | 5.3 简单逻辑功能的实现 | 第69-70页 | 5.4 本章小结 | 第70-72页 | 第6章 Ag/HfO_y/HfO_x/Ag忆阻器中Ag短程迁移与突触模拟 | 第72-81页 | 6.1 电学传输特性 | 第72-75页 | 6.1.1 对称转变式电流-电压曲线 | 第72-74页 | 6.1.2 传输特性的物理模型 | 第74-75页 | 6.2 器件的成分和结构与突触的相似性 | 第75-77页 | 6.2.1 器件的成分分析 | 第75-76页 | 6.2.2 器件的结构分析与器件与突触的联系 | 第76-77页 | 6.3 短时程突触可塑性模拟 | 第77-80页 | 6.3.1 双脉冲易化 | 第77-78页 | 6.3.2 脉冲依赖的突触响应 | 第78-80页 | 6.4 本章小结 | 第80-81页 | 第7章 结论 | 第81-84页 | 参考文献 | 第84-91页 | 致谢 | 第91-93页 | 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第93-94页 |
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