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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--同质氧化铪双层膜的界面耦合与忆阻行为调制的研究
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同质氧化铪双层膜的界面耦合与忆阻行为调制的研究
 
     论文目录
 
摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 引言第9-32页
    1.1 忆阻器件的电学基础第9-12页
    1.2 忆阻器件的导电机制第12-17页
        1.2.1 电化学金属化转变机制第12-15页
        1.2.2 价态转变机制第15-17页
    1.3 忆阻器件模拟突触可塑性的基础第17-22页
        1.3.1 突触结构及其信号传递机制第17-18页
        1.3.2 忆阻器件与突触的联系第18-22页
    1.4 忆阻器件在人工智能领域中的应用第22-29页
        1.4.1 忆阻器件在神经网络中的应用第22-27页
        1.4.2 忆阻器件实现算法功能第27-29页
    1.5 氧化铪作为电介质层材料的优势第29-30页
    1.6 本文的研究思路及内容第30-32页
第2章 实验原理及实验方法第32-38页
    2.1 忆阻器件的制备工艺第32-35页
        2.1.1 基片清洗第32页
        2.1.2 图形掩膜制备第32-33页
        2.1.3 磁控溅射法沉积薄膜第33-34页
        2.1.4 薄膜真空退火工艺第34-35页
    2.2 材料结构与成分的表征第35-37页
        2.2.1 台阶仪第35页
        2.2.2 X射线衍射第35页
        2.2.3 X射线光电子能谱第35页
        2.2.4 俄歇电子能谱第35-36页
        2.2.5 导电原子力显微镜第36页
        2.2.6 高分辨透射电子显微镜第36-37页
        2.2.7 聚焦离子束第37页
    2.3 电学信号测试第37-38页
第3章 W/HfO_y/HfO_x/Pt忆阻器实现多种突触可塑性第38-49页
    3.1 成分分析第38-39页
    3.2 基本电学性能与能量消耗第39-43页
        3.2.1 非线性传输特性第39-40页
        3.2.2 单一脉冲下的响应特性第40-42页
        3.2.3 可重复擦写性和保持特性第42页
        3.2.4 器件的能量消耗第42-43页
    3.3 多种突触可塑性的模拟第43-48页
        3.3.1 兴奋和抑制性突触后电流第43-44页
        3.3.2 频率相关可塑性第44-46页
        3.3.3 突触再可塑性第46-47页
        3.3.4 时间依赖可塑性第47-48页
    3.4 本章小结第48-49页
第4章 双层氧化铪基忆阻器中的自适应晶粒动力学第49-59页
    4.1 自适应晶粒动力学行为第49-55页
        4.1.1 原始态与电初始化态器件的微结构表征第49-50页
        4.1.2 工作态器件微结构变化与电导的联系第50-55页
    4.2 晶粒转动模拟突触门控离子通道模型第55-58页
    4.3 本章小结第58-59页
第5章 Ag/HfO_y/HfO_x/Pt忆阻器中晶粒动力学导电行为第59-72页
    5.1 电学性能第59-64页
        5.1.1 电流-电压曲线第59-60页
        5.1.2 高阻态保持特性与阈值电压第60-61页
        5.1.3 阈值转变的相关特性第61-63页
        5.1.4 循环特性第63-64页
    5.2 导电机理的分析第64-69页
        5.2.1 成分与结构表征第64-67页
        5.2.2 晶粒动力学与金属导电细丝的相互作用第67-69页
    5.3 简单逻辑功能的实现第69-70页
    5.4 本章小结第70-72页
第6章 Ag/HfO_y/HfO_x/Ag忆阻器中Ag短程迁移与突触模拟第72-81页
    6.1 电学传输特性第72-75页
        6.1.1 对称转变式电流-电压曲线第72-74页
        6.1.2 传输特性的物理模型第74-75页
    6.2 器件的成分和结构与突触的相似性第75-77页
        6.2.1 器件的成分分析第75-76页
        6.2.2 器件的结构分析与器件与突触的联系第76-77页
    6.3 短时程突触可塑性模拟第77-80页
        6.3.1 双脉冲易化第77-78页
        6.3.2 脉冲依赖的突触响应第78-80页
    6.4 本章小结第80-81页
第7章 结论第81-84页
参考文献第84-91页
致谢第91-93页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第93-94页

 
 
论文编号BS4643324,这篇论文共94
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