摘要 | 第5-8页 |
Abstract | 第8-11页 |
第一章 绪论 | 第18-56页 |
1.1 LED及其发展历程 | 第18-20页 |
1.2 LED的发光机理 | 第20-23页 |
1.2.1 发光的内量子机理 | 第21-22页 |
1.2.2 外量子发光机理 | 第22-23页 |
1.3 GaN基量子阱中的量子限制Stark效应(QCSE) | 第23-29页 |
1.3.1 压应力、压电场及能带偏移 | 第23-25页 |
1.3.2 量子限制斯塔克效应(QCSE)的屏蔽以及发光效率的提高 | 第25-29页 |
ⅰ 通过掺杂屏蔽量子限制斯塔克效应(QCSE) | 第26-27页 |
ⅱ 非极性外延结构 | 第27-28页 |
ⅲ 应变场以及电子能带 | 第28-29页 |
ⅳ 立方结构的Ⅲ-族氮化合物 | 第29页 |
1.4 表面等离激元 | 第29-33页 |
1.4.1 表面极化等离激元 | 第30-31页 |
1.4.2 局域表面等离激元 | 第31-33页 |
1.5 LED发光效率增强 | 第33-39页 |
1.5.1 表面等离激元(SP)耦合增强内量子效率(IQE) | 第33-36页 |
1.5.2 提高LED外量子效率 | 第36-38页 |
1.5.3 SP-QW耦合综合提高LED内、外量子效率 | 第38-39页 |
1.6 论文结构以及研究内容 | 第39-42页 |
参考文献 | 第42-56页 |
第二章 表面等离激元-量子阱耦合结构的制备与表征 | 第56-80页 |
2.1 引言 | 第56页 |
2.2 银纳米粒子点阵制备与表征 | 第56-63页 |
2.2.1 Ag NPs生长条件与形貌的探究 | 第57-59页 |
2.2.2 Ag NPs的形态及表面等离激元共振特性 | 第59-63页 |
2.3 光致发光特性的测量 | 第63-65页 |
2.3.1 常温光致发光(PL)谱的测量 | 第63-64页 |
2.3.2 变温PL谱的测量装置 | 第64页 |
2.3.3 时间分辨光致发光谱(TRPL)的测量 | 第64-65页 |
2.4 GaN基量子阱与金属微纳结构间的隔离层的制备 | 第65-71页 |
2.4.1 等离子体增强化学气相沉积制备氮化硅隔离层 | 第65-66页 |
2.4.2 原子层沉积制备GaN和Al_2O_3隔离层 | 第66-71页 |
2.5 不同介质隔离层与银纳米粒子点阵间的耦合情况 | 第71-73页 |
2.6 本章小结 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-80页 |
第三章 覆盖Ag纳米粒子点阵的GaN基量子阱的光致发光增强定量分析 | 第80-99页 |
3.1 引言 | 第80页 |
3.2 覆盖Ag纳米粒子点阵的GaN基量子阱常温PL谱的测量与定量分析 | 第80-91页 |
3.2.1 常温下量子阱的PL增强的测量 | 第80-82页 |
3.2.2 量子阱PL增强倍数的定量分析 | 第82-91页 |
3.3 覆盖Ag纳米粒子点阵的GaN单量子阱变温PL分析 | 第91-94页 |
3.4 覆盖银纳米粒子点阵的GaN基单量子阱变温辐射复合寿命 | 第94-95页 |
3.5 本章小结 | 第95-97页 |
参考文献 | 第97-99页 |
第四章 GaN基量子阱在局域表面等离激元耦合下的载流子动力学 | 第99-112页 |
4.1 引言 | 第99页 |
4.2 覆盖Ag纳米粒子的多量子阱(MQWs)变温PL谱的测量与分析 | 第99-103页 |
4.3 覆盖Ag纳米粒子的多量子阱(MQWs)变温发光寿命谱的分析 | 第103-106页 |
4.4 外加电场对量子阱中载流子动力学的影响 | 第106-108页 |
4.5 本章小结 | 第108-109页 |
参考文献 | 第109-112页 |
第五章 Ag纳米粒子点阵对量子阱的发光淬灭与光电流的产生 | 第112-122页 |
5.1 引言 | 第112页 |
5.2 Ag纳米粒子与量子阱直接接触对其PL及TRPL的影响 | 第112-116页 |
5.3 沉积银纳米粒子点阵量子阱复合体的光电流产生 | 第116-117页 |
5.4 本章小结 | 第117-119页 |
参考文献 | 第119-122页 |
第六章 总结与展望 | 第122-125页 |
6.1 论文总结 | 第122-123页 |
6.2 研究展望 | 第123-125页 |
攻读博士学位期间的科研成果 | 第125-126页 |
已发表的论文 | 第125-126页 |
致谢 | 第126-128页 |