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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--金属氧化物气敏传感器的稳定性与一致性研究
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金属氧化物气敏传感器的稳定性与一致性研究
 
     论文目录
 
摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第9-24页
    1.1 前言第9-10页
    1.2 半导体气敏传感器的分类及工作原理第10-14页
        1.2.1 半导体气敏传感器的分类第10-12页
        1.2.2 半导体气敏传感器的原理第12-13页
        1.2.3 MOS 气敏传感器主要参数简介第13-14页
    1.3 半导体气敏传感器的稳定性与一致性研究现状第14-21页
        1.3.1 半导体气敏传感器稳定性的研究现状第14-18页
        1.3.2 提高气敏传感器稳定性的办法第18-21页
        1.3.3 一致性研究现状第21页
    1.4 稳定性与一致性研究第21-23页
        1.4.1 气敏膜的稳定性研究第21-22页
        1.4.2 气敏膜的一致性研究第22-23页
    1.5 本课题的研究目的及内容第23-24页
2 SiO_2制备及其稳定尺寸的效果第24-35页
    2.1 前言第24页
    2.2 实验方案第24页
    2.3 纳米 ZnO 的制备第24-25页
    2.4 制备纳米 SiO_2第25-28页
        2.4.1 制备方法概述第25-26页
        2.4.2 SiO_2溶胶制备工艺第26页
        2.4.3 SiO_2溶胶的表征第26-28页
    2.5 烧结实验及材料表征第28-34页
        2.5.1 烧结实验第28页
        2.5.2 材料形貌表征第28-34页
    2.6 小结第34-35页
3 MOS 气敏传感器稳定性研究第35-61页
    3.1 引言第35页
    3.2 稳定性评价标准第35页
    3.3 实验方案第35-36页
    3.4 材料制备第36-37页
        3.4.1 纳米 WO3的制备第36页
        3.4.2 纳米 In2O3的制备第36-37页
    3.5 器件制备第37-42页
        3.5.1 气敏浆料制备第37页
        3.5.2 丝网印刷,烧结第37-40页
        3.5.3 划片,器件封装第40-42页
    3.6 稳定性测试第42-60页
        3.6.1 稳定性测试原理第42-43页
        3.6.2 稳定性一致性测试平台第43-46页
        3.6.3 稳定性实验方案第46-47页
        3.6.4 器件寿命及结果分析第47-52页
        3.6.5 敏感值波动性及分析第52-60页
    3.7 小结第60-61页
4 MOS 气敏传感器一致性研究第61-70页
    4.1 引言第61页
    4.2 一致性评价标准第61-62页
    4.3 实验方案第62-64页
        4.3.1 器件印刷实验第63-64页
        4.3.2 器件位置偏差第64页
    4.4 一致性测试第64-65页
    4.5 一致性测试结果及分析第65-69页
    4.6 小结第69-70页
5 全文总结第70-72页
致谢第72-73页
参考文献第73-78页
附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文第78页

 
 
论文编号BS3765526,这篇论文共78
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