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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--基于SiGe HBT的高频增益模块
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基于SiGe HBT的高频增益模块
 
     论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第1章 绪论第10-17页
   ·引言第10页
   ·SiGe HBT 的起源,发展与现状第10-12页
     ·SiGe HBT 技术的提出第10-11页
     ·SiGe HBT 在国内外的发展情况第11-12页
   ·SiGe HBT 集成电路发展水平第12-15页
   ·本论文的主要工作第15-16页
   ·本论文的内容安排第16-17页
第2章 SiGe HBT 的基本理论与结构第17-26页
   ·Si/SiGe 异质结物理分析第17-19页
   ·SiGe HBT 参数指标第19-21页
     ·特征频率与最高振荡频率第19-21页
     ·集电极电流,基极电流和增益第21页
   ·SiGe HBT 的基本结构第21-23页
   ·SiGe 基区外延层的生长方法第23-24页
   ·本章小结第24-26页
第3章 影响SiGe HBT 特性的因素及交流特性分析第26-41页
   ·影响SiGe HBT 特性的因素第26-31页
     ·基区设计的影响因素第26-29页
     ·集电区和发射区的掺杂浓度与宽度对器件的影响第29-31页
   ·SiGe HBT 小信号模型第31-36页
     ·SiGe HBT 的共基极等效模型第31-34页
     ·HBT 的共基极交流小信号短路导纳矩阵Y_b第34-35页
     ·HBT 的共发射极交流小信号短路导纳矩阵Y_e第35-36页
   ·SiGe HBT 典型交流参数的推导第36-39页
     ·共射极最佳功率增益和发射极最高振荡频率第36-37页
     ·共射极短路电流和特征频率第37-38页
     ·共射极最大单向转换功率增益和f_(max)第38页
     ·S 参数第38-39页
   ·SiGe HBT 的噪声特性第39-40页
   ·本章小结第40-41页
第4章 SiGe HBT 高频增益模块设计第41-60页
   ·增益模块概述第41-47页
     ·常用的高频放大电路第41-43页
     ·达林顿结构第43-45页
     ·放大器的二端口模型第45-47页
   ·基于达林顿结构的SiGe HBT 高频增益模块的分析及参数的确定第47-49页
     ·电路的工作原理第47-48页
     ·电路结构第48-49页
     ·器件参数的选择第49页
   ·SiGe HBT 高频增益模块的线性度第49页
   ·SiGe HBT 高频增益模块的噪声第49-52页
     ·二端口噪声网络第50-51页
     ·SiGe HBT 高频增益模块的噪声分析第51-52页
   ·SiGe HBT 高频增益模块的仿真第52-59页
   ·本章小结第59-60页
第5章 工艺流程及版图设计第60-70页
   ·掩埋金属自对准工艺第60-62页
     ·传统工艺对SiGe HBT 性能的影响第60-61页
     ·掩埋金属自对准工艺的引入第61-62页
   ·高阻抗衬底的制备第62-64页
     ·衬底的清洗与扩散第62页
     ·UHVCVD 材料生长第62-63页
     ·材料预处理及生长流程第63-64页
   ·埋层金属自对准工艺的流程第64-66页
     ·发射极埋层金属与发射极台面的制备第65页
     ·埋层金属于基极台面的制备第65-66页
     ·集电极埋层金属的制备第66页
   ·无源元件—电阻的制备第66-68页
   ·SiGe HBT 高频增益模块版图的设计第68-69页
   ·本章小结第69-70页
结论第70-71页
参考文献第71-74页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第74-75页
致谢第75页

 
 
论文编号BS1475127,这篇论文共75
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