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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--InGaN、InN及其异质结构材料生长与特性研究
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InGaN、InN及其异质结构材料生长与特性研究
 
     论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第一章 绪论第11-23页
   ·InN 基材料的特性和优势第11-14页
   ·InN 基材料和器件的研究进展第14-21页
     ·InN 基材料的发展历程第14-17页
     ·InN 基材料在光电器件中的应用研究与进展第17-18页
     ·InN 基材料在电子器件中的应用研究与进展第18-20页
     ·目前存在的问题和本文的研究意义第20-21页
   ·本文主要工作第21-23页
第二章 InGaN 材料的生长与表征第23-45页
   ·InGaN 材料生长理论第23-27页
     ·InGaN 薄膜材料生长理论第23-26页
     ·MOCVD 系统简介及本章 实验目的第26-27页
   ·InGaN 薄膜生长工艺的初步探索(实验1)第27-32页
     ·实验过程第27-28页
     ·样品的XRD(X 射线衍射)研究第28-29页
     ·样品的AFM(原子力显微镜)研究第29-30页
     ·样品的PL(光致荧光)研究第30-31页
     ·样品C 的TEM(透射电镜)研究第31-32页
     ·实验小结第32页
   ·V/III 比对InGaN 薄膜特性的影响(实验2)第32-38页
     ·实验过程第32-33页
     ·样品的XRD 研究第33-34页
     ·样品的AFM 研究第34-36页
     ·样品的PL 和Raman(拉曼光谱)研究第36-38页
     ·实验小结第38页
   ·生长温度对InGaN 薄膜特性的影响(实验3)第38-43页
     ·实验过程第38-39页
     ·样品的XRD 研究第39-40页
     ·样品的AFM 研究第40-41页
     ·样品的PL 和SIMS(二次离子质谱)研究第41-42页
     ·样品的Raman 研究第42-43页
     ·实验小结第43页
   ·本章 总结第43-45页
第三章 含InGaN 薄膜的GaN 异质结构的生长与特性研究第45-63页
   ·引言第45-48页
     ·InN 基HEMT 理论第45-46页
     ·InGaN 薄膜材料在GaN 异质结构中的应用第46-48页
   ·InGaN 沟道HEMT 异质结构(1)第48-54页
     ·势垒层/8nm-In_(0.03)Ga_(0.97)N/GaN 异质结构的设计与生第49页
     ·样品的XRD 和AFM 研究第49-51页
     ·样品的电特性分析第51-53页
     ·实验小结第53-54页
   ·InGaN 沟道HEMT 异质结构(2)第54-58页
     ·AlGaN/InxGa1-xN/GaN 异质结构的设计与生长第54页
     ·样品的XRD、AFM 和PL 研究第54-56页
     ·样品的电特性分析第56-57页
     ·实验小结第57-58页
   ·InGaN 背势垒HEMT 异质结构第58-61页
     ·AlGaN/GaN/7nm-In_(0.03)Ga_(0.97)N /GaN 异质结构的模拟仿第58页
     ·AlGaN/GaN/7nm-In_(0.03)Ga_(0.97)N /GaN 异质结构的设计及生第58-59页
     ·样品XRD、AFM 和PL 研究以及电特性分析第59-61页
   ·本章 总结第61-63页
第四章 InN 材料的生长与表征第63-81页
   ·引言第63-65页
     ·InN 材料生长的困难性第63-64页
     ·衬底对InN 材料生长的影响第64-65页
   ·蓝宝石衬底上InN 的材料生长与特性分析第65-71页
     ·实验过程第65-67页
     ·蓝宝石衬底上InN 材料的特性分析第67-71页
     ·实验小结第71页
   ·GaN 缓冲层/Sapphire 衬底上InN 材料的生长与特性分析第71-76页
     ·实验过程第72页
     ·GaN 缓冲层/Sapphire 衬底上InN 材料的特性分析第72-76页
     ·实验小结第76页
   ·Si 衬底上 InN 材料的生长与特性分析第76-80页
     ·实验过程第76页
     ·Si 衬底上 InN 材料的特性分析第76-79页
     ·实验小结第79-80页
   ·本章总结第80-81页
第五章 结论第81-85页
致谢第85-87页
参考文献第87-95页
攻读硕士期间研究成果第95-97页

 
 
论文编号BS149527,这篇论文共97
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