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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--硼掺杂的纳米管MOSFET的光电输运特性研究
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硼掺杂的纳米管MOSFET的光电输运特性研究
 
     论文目录
 
摘要第1-8页
Abstract第8-11页
第一章 绪论第11-30页
   ·研究背景和意义第11-13页
   ·研究相关内容简介与研究现状第13-27页
     ·纳米管简介第13-20页
     ·MOSFET简介第20-26页
     ·纳米管MOSFET第26-27页
   ·本文研究内容和章节安排第27-30页
     ·本文研究内容第27-28页
     ·章节安排第28-30页
第二章 研究方法及研究工具介绍第30-37页
   ·器件结构介绍以及本文研究相关的理论依据前提第30-32页
   ·研究工具介绍第32-36页
     ·器件设计软件第32-35页
     ·数据处理、图形绘制软件第35-36页
     ·本章小结第36-37页
第三章 器件自身属性参数(掺杂、氧化层厚度、导电部分电阻)对器件电导性影响的模拟、计算及讨论第37-47页
   ·硅壳层中的硼掺杂浓度对于硅壳层纳米管MOSFET输运特性的影响第37-40页
   ·氧化层厚度对硅壳层纳米管MOSFET输运特性的影响第40-41页
   ·导电沟道的电阻、尺寸对硅壳层纳米管MOSFET输运特性的影响第41-43页
   ·与先前研究实验结果最为符合的仿真模拟结果第43-45页
   ·器件本身属性、参数最优化模拟第45页
   ·本章小结第45-47页
第四章 器件外部环境参数(外加光照)对硅壳层纳米管MOSFET输运特性的影响第47-52页
   ·入射光波长变化对光响应(光电流)的影响第47-49页
   ·Si壳层(吸收层)厚度对光响应(光电流)的影响第49-50页
   ·入射光光强对光电流的影响第50页
   ·本章小结第50-52页
第五章 纳米管MOSFET导电沟道的空穴密度分布第52-55页
   ·模拟分析讨论第52-54页
   ·本章小结第54-55页
第六章 总结与展望第55-58页
参考文献第58-65页
附录一 器件仿真模拟软件的仿真流程及程序介绍第65-78页
附录二 攻读硕士期间发表论文及学术成果情况第78-79页
致谢第79页

 
 
论文编号BS1885227,这篇论文共79
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