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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--水溶液法制备ZnO纳米线/p+-Si异质结光电特性的研究
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水溶液法制备ZnO纳米线/p+-Si异质结光电特性的研究
 
     论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-9页
引言第9-10页
1 氧化锌纳米材料的概述第10-22页
   ·氧化锌的基本性质第10-11页
   ·ZnO纳米线及阵列的应用与研究进展第11-21页
     ·电致发光器件第12-16页
     ·纳米激光器第16-18页
     ·纳米传感器第18-19页
     ·纳米发电机第19-21页
   ·本文研究的内容第21-22页
2 ZnO纳米结构的制备方法与表征手段第22-32页
   ·ZnO纳米结构的制备方法第22-26页
     ·气相法第22-25页
     ·液相法第25-26页
     ·模板法第26页
   ·表征手段第26-29页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第27页
     ·X射线衍射谱(XRD)第27页
     ·光致发光谱(PL谱)第27-28页
     ·透射和吸收光谱第28-29页
     ·霍尔效应第29页
     ·半导体特性测试系统第29页
   ·本文中使用的设备第29-32页
     ·射频磁控溅射第29-30页
     ·电子束蒸发第30-31页
     ·热蒸发第31-32页
3 ZnO纳米阵列的制备与表征第32-40页
   ·ZnO纳米线的制备第32-34页
     ·制备过程第32页
     ·生长机理第32-34页
   ·ZnO纳米线的表征第34-39页
     ·籽晶层对ZnO纳米线的影响第34-37页
     ·溶液浓度对ZnO纳米线的影响第37-38页
     ·不同生长时间下ZnO纳米线的光学性质第38-39页
   ·本章小结第39-40页
4 电子束蒸发制备ITO电极第40-46页
   ·ITO的简述第40-41页
   ·ITO薄膜的制备第41页
   ·退火对ITO薄膜特性的影响第41-43页
     ·退火对ITO薄膜透射率的影响第41-42页
     ·退火对ITO薄膜电阻率的影响第42-43页
   ·ZnO纳米线顶端电极的制备第43-45页
   ·本章小结第45-46页
5 ZnO纳米线/p+-Si异质结二极管光电特性第46-55页
   ·器件的制作第46-47页
   ·异质结二极管光电特性第47-54页
     ·I-V特性第47-49页
     ·异质结的理想因子第49-50页
     ·C-V特性第50-52页
     ·EL谱第52-54页
   ·本章小结第54-55页
6 结论第55-56页
参考文献第56-61页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第61-62页
致谢第62-63页

 
 
论文编号BS227,这篇论文共63
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