| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 硒化钼简介 | 第12-13页 |
| 1.3 MoSe_2薄膜的制备方法 | 第13-15页 |
| 1.3.1 薄膜机械剥离法制备MoSe_2薄膜 | 第13-14页 |
| 1.3.2 热化学气相沉积法制备MoSe_2薄膜 | 第14页 |
| 1.3.3 分子束外延法制备MoSe_2薄膜 | 第14-15页 |
| 1.4 硒化钼的应用 | 第15-20页 |
| 1.4.1 硒化钼光学特性与应用 | 第15-18页 |
| 1.4.2 片状MoSe_2/C结构储能应用 | 第18-20页 |
| 1.4.3 硒化钼异质结的应用 | 第20页 |
| 1.5 选题思想和主要内容 | 第20-22页 |
| 第二章 热蒸发法制备MoSe_2薄膜 | 第22-34页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 实验部分 | 第23-25页 |
| 2.2.1 主要试剂和化学仪器 | 第23页 |
| 2.2.2 主要仪器设备 | 第23-24页 |
| 2.2.3 硒化钼薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 2.3 热蒸发法不同温度对MoSe_2薄膜光电特性的影响 | 第25-29页 |
| 2.3.1 不同温度MoSe_2薄膜的光反射特性 | 第25-26页 |
| 2.3.2 不同温度制备MoSe_2薄膜的原子力显微图 | 第26-27页 |
| 2.3.3 不同温度制备MoSe_2薄膜的电学特性 | 第27-28页 |
| 2.3.4 不同温度制备MoSe_2薄膜的XRD | 第28-29页 |
| 2.4 热蒸发法时间对MoSe_2薄膜光电特性的影响 | 第29-32页 |
| 2.4.1 不同时间MoSe_2薄膜光反射特性影响 | 第29-30页 |
| 2.4.2 不同时间MoSe_2薄膜的AFM图像 | 第30-31页 |
| 2.4.3 不同时间制备MoSe_2薄膜的电学特性的影响 | 第31-32页 |
| 2.4.4 不同时间制备MoSe_2薄膜的XRD | 第32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 热蒸发法银掺杂制备MoSe_2薄膜 | 第34-45页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 实验部分 | 第34-37页 |
| 3.2.1 主要实验试剂 | 第34-35页 |
| 3.2.2 主要实验仪器 | 第35页 |
| 3.2.3 MoSe_2薄膜的制备 | 第35-37页 |
| 3.3 银掺杂对MoSe_2薄膜光电特性的影响 | 第37-41页 |
| 3.3.1 银掺杂对MoSe_2薄膜光反射特性的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.2 银掺杂对MoSe_2薄膜电学特性的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.3 银掺杂对MoSe_2薄膜XRD的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.4 银掺杂对MoSe_2薄膜表面形貌的影响 | 第40-41页 |
| 3.4 掺杂银与未掺杂的MoSe_2薄膜 | 第41-44页 |
| 3.4.1 未掺杂与银掺杂MoSe_2薄膜的光反射特性 | 第42页 |
| 3.4.2 未掺与银掺杂MoSe_2薄膜的薄膜的电学特性 | 第42-43页 |
| 3.4.3 未掺与银掺杂MoSe_2薄膜的薄膜的表面形貌 | 第43-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 稀土元素铒掺杂MoSe_2薄膜的制备和光电特性 | 第45-54页 |
| 4.1 引言 | 第45-46页 |
| 4.2 实验部分 | 第46-48页 |
| 4.2.1 稀土元素铒掺杂MoSe_2薄膜的薄膜的制备 | 第46-48页 |
| 4.3 稀土元素铒掺杂MoSe_2薄膜的光电特性研究及表征 | 第48-52页 |
| 4.3.1 稀土元素铒掺杂MoSe_2薄膜的表面形貌表征 | 第48页 |
| 4.3.2 稀土元素铒掺杂MoSe_2薄膜的晶格结构表征 | 第48-49页 |
| 4.3.3 稀土元素铒掺杂MoSe_2薄膜的光反射特性表征 | 第49-50页 |
| 4.3.4 稀土元素铒掺杂MoSe_2薄膜的电学特性表征 | 第50-51页 |
| 4.3.5 稀土元素铒掺杂MoSe_2薄膜的荧光激发特性 | 第51-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 总结与展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 作者简历 | 第61-62页 |
| 研究生学位论文详细摘要 | 第62页 |
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