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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--SiGe异质结双极晶体管(SiGe HBT)研究与设计
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SiGe异质结双极晶体管(SiGe HBT)研究与设计
 
     论文目录
 
中文摘要第1-4页
英文摘要第4-8页
第1章 绪论第8-24页
 §1.1课题背景第8-9页
 §1.2异质结器件第9-14页
 §1.3SiGe材料特性第14-17页
 §1.4SiGe HBT的发展状况第17-23页
 §1.5本论文的主要工作第23-24页
第2章 SiGe HBT纵向结构设计第24-40页
 §2.1SiGe HBT的工作原理第24-28页
 §2.2SiGe HBT的功率参数第28-30页
 §2.3SiGe HBT纵向结构设计第30-40页
  2.3.1 发射区设计第30-32页
  2.3.2 基区设计第32-36页
  2.3.3 集电区设计第36-38页
  2.3.4 本节小结第38-40页
第3章 SiGe HBT缓冲层设计第40-48页
 §3.1SiGe HBT基区杂质外扩的产生机理第40-45页
 §3.2SiGe HBT缓冲层设计第45-48页
第四章 SiGe HBT直流特性及结构分析第48-61页
 §4.1SiGe HBT样品的结构分析第48-50页
 §4.2SiGe HBT样品的直流特性分析第50-56页
  4.2.1 发射结正反向特性分析第50-52页
  4.2.2 集电结正反向特性分析第52-55页
  4.2.3 SiGe HBT输出特性分析第55-56页
 §4.3SiGe HBT样品电极引线及压焊点的寄生效应对器件性能影响的分析第56-58页
 §4.4SiGe HBT的横向设计第58-59页
 §4.5本章小结第59-61页
第五章 结论第61-62页
参考文献第62-65页
致谢第65页

 
 
论文编号BS934377,这篇论文共65
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