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SiO2纳米线的生长与Si源和退火条件关系的研究
 
     论文目录
 
摘要第1-8页
Abstract第8-10页
第一章 绪论第10-20页
   ·纳米科学技术及其发展第10页
   ·SiO_2纳米线研究概述第10-11页
   ·SiO_2的性质及应用第11-13页
     ·SiO_2的基本性质第11页
     ·SiO_2的特殊性质第11-13页
     ·纳米 SiO_2的应用第13页
   ·SiO_2纳米线的制备方法第13-17页
   ·本论文的选题依据第17-20页
第二章 实验设备与测试方法第20-30页
   ·实验设备第20-23页
     ·溅射设备—JCK-500A 型磁控溅射仪第20-22页
     ·退火设备-高温管式炉第22-23页
   ·实验材料第23页
     ·实验材料和气体第23页
     ·衬底的预处理第23页
   ·样品的测试和表征第23-30页
     ·表面形貌测试-扫描电子显微镜(SEM)第23-25页
     ·成分分析-X 射线衍射(XRD)和 X 射线光电子能谱(XPS)第25-27页
     ·光学测试-光致发光(PL)、傅里叶红外吸收(FTIR)第27-30页
第三章 不同 Si 源和生长条件对 SiO_2纳米线形貌的影响第30-36页
   ·SiO_2纳米线的制备第30页
   ·Si 源对 SiO_2纳米线形貌的影响第30-31页
   ·退火温度对 SiO_2纳米线形貌的影响第31-32页
   ·退火时间对 SiO_2纳米线形貌的影响第32-34页
   ·衬底对 SiO_2纳米线形貌的影响第34页
   ·本章小结第34-36页
第四章 磁控溅射和退火法制备长直 SiO_2纳米线、纳米花以及纳米灯笼第36-48页
   ·新奇 SiO_2纳米线的制备第36-37页
   ·长直纳米线的测试及表征第37-41页
   ·纳米花和纳米灯笼的测试和表征第41-45页
   ·SiO_2纳米线的生长机理的研究第45-46页
   ·本章小结第46-48页
第五章 全文总结第48-52页
   ·本文的主要研究成果第48-50页
   ·对今后工作的建议第50-52页
参考文献第52-58页
在学期间发表的学术论文第58-60页
致谢第60页

 
 
论文编号BS12628,这篇论文共60
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