中文摘要 | 第1-3页 |
ABSTRACT | 第3-7页 |
第一章 绪论 | 第7-20页 |
·信息功能陶瓷材料的发展 | 第7-8页 |
·多层陶瓷电容器 | 第8-16页 |
·多层陶瓷电容器概述 | 第8-13页 |
·高介多层陶瓷电容器的分类 | 第13-14页 |
·X7R 陶瓷电容器介质材料发展历史 | 第14-16页 |
·课题的研究内容和目的 | 第16-20页 |
·介电陶瓷研究动态 | 第16-18页 |
·选题内容 | 第18-20页 |
第二章 介质陶瓷材料的试验工艺及测试 | 第20-24页 |
·介质陶瓷试验工艺过程 | 第20-21页 |
·测试与分析 | 第21-24页 |
·测试仪器 | 第21-22页 |
·样品的参数测定 | 第22页 |
·瓷料的微观分析 | 第22-24页 |
第三章 BaTiO_3系统的微观结构与改性机理 | 第24-33页 |
·BaTiO_3微观结构与介电性能 | 第24-27页 |
·BaTiO_3的晶体结构 | 第24-25页 |
·BaTiO_3 晶体的铁电畴结构 | 第25-26页 |
·BaTiO_3 陶瓷的介电性能 | 第26-27页 |
·钛酸钡陶瓷的改性机理 | 第27-31页 |
·细晶机理 | 第28-29页 |
·相变扩散 | 第29-30页 |
·展宽效应 | 第30-31页 |
·移动效应 | 第31页 |
·掺杂改性对钛酸钡陶瓷的综合作用 | 第31-33页 |
第四章 掺杂剂对BaTiO_3系统X7R 介质陶瓷的影响 | 第33-64页 |
·添加剂掺杂改性钛酸钡陶瓷的微观机理 | 第33-35页 |
·CoCO_3 掺杂对系统介电性能的影响 | 第35-36页 |
·Nb_2O_5 掺杂对系统介电性能的影响 | 第36-40页 |
·Nb_2O_5掺杂改性的作用机理 | 第36-39页 |
·Nb_2O_5 掺杂对系统介电性能的影响 | 第39-40页 |
·Nb_2O_5、C0_2O_3 预烧对系统介电性能的影响 | 第40-41页 |
·MgO 添加剂对钛酸钡系统介电性能的影响 | 第41-43页 |
·稀土元素Ce 和Sm 对系统介电性能的影响 | 第43-47页 |
·掺杂CeO_2对系统介电性能的影响 | 第43-45页 |
·掺杂Sm_2O_3 对系统介电性能的影响 | 第45-47页 |
·MnCO_3 对钛酸钡系统介电性能的影响 | 第47-52页 |
·添加玻璃对系统性能的影响 | 第52-53页 |
·工艺对系统介电性能的影响 | 第53-62页 |
·BaTiO_3的煅烧对系统介电性能的影响 | 第53-57页 |
·烧结过程对系统介电性能的影响 | 第57-62页 |
·小结 | 第62-64页 |
第五章 Nb、Mg 改性X8R 钛酸钡系统的介电性能研究 | 第64-75页 |
·掺杂Nb_2O_5、MgO 对钛酸钡介电性能的影响 | 第64-68页 |
·Ba/Ti 比对Nb_2O_5、MgO 掺杂钛酸钡介电性能的影响 | 第68-69页 |
·工艺对Nb_2O_5、MgO 掺杂钛酸钡介电性能的影响 | 第69-74页 |
·小结 | 第74-75页 |
第六章 PbTiO_3 掺杂对X8R 钛酸钡陶瓷系统介电性能的影响 | 第75-83页 |
·PbTiO_3 掺杂改性BaTiO_3 陶瓷的微观机理 | 第75-77页 |
·PbTiO_3 掺杂对X8R BaTiO_3 介质陶瓷性能的影响 | 第77-80页 |
·PbO 掺杂对X8R BaTiO_3 介质陶瓷性能的影响 | 第80-82页 |
·小结 | 第82-83页 |
第七章 Pb(Ti,Sn)O_3掺杂钛酸钡陶瓷系统的介电性能研究 | 第83-98页 |
·Pb(Ti,Sn)O_3 介质陶瓷的介电性能 | 第83-84页 |
·Pb(Ti,Sn)O_3 掺杂对BaTiO_3 介质陶瓷的影响 | 第84-86页 |
·Ba/Pb 比对系统介电性能的影响 | 第86-88页 |
·烧结温度对系统介电性能的影响 | 第88-91页 |
·Pb(Ti,Sn)O_3 掺杂制备高介X8R BaTiO_3 介质陶瓷系统 | 第91-94页 |
·中温烧结Bi 掺杂高介X8R 介质陶瓷系统 | 第94-97页 |
·小结 | 第97-98页 |
第八章 (Na,Bi)TiO_3掺杂钛酸钡陶瓷系统的介电性能研究 | 第98-102页 |
·(Na,Bi)TiO_3 的介电性能 | 第98-99页 |
·(Na,Bi)TiO_3 掺杂钛酸钡陶瓷系统的介电性能研究 | 第99-101页 |
·小结 | 第101-102页 |
第九章 结论 | 第102-105页 |
参考文献 | 第105-111页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第111-113页 |
致谢 | 第113页 |