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亚65纳米SRAM的稳定性研究与设计 |
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| 论文目录 |
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| 中文摘要 | 第1-4页 | | Abstract | 第4-7页 | | 第一章 引言 | 第7-12页 | | ·SRAM 概述 | 第7-8页 | | ·稳定性概念 | 第8-9页 | | ·研究背景及目前国内外现状 | 第9-10页 | | ·论文主要工作及技术要点 | 第10-11页 | | ·论文章节组成 | 第11-12页 | | 第二章 早期工艺SRAM 稳定性分析 | 第12-18页 | | ·SNM 追溯 | 第12-16页 | | ·SNM 仿真模型 | 第16-18页 | | 第三章 亚65 纳米SRAM 统计分析 | 第18-34页 | | ·工艺参数变化介绍 | 第18-19页 | | ·SRAM 存储单元失效机制 | 第19-21页 | | ·读失效 | 第19-20页 | | ·写失效 | 第20页 | | ·访问时间失效 | 第20页 | | ·数据保持失效 | 第20-21页 | | ·失效概率建模 | 第21-27页 | | ·概率知识准备 | 第21-22页 | | ·读失效(RF) | 第22-23页 | | ·写失效(WF) | 第23-24页 | | ·访问时间失效(AF) | 第24-26页 | | ·数据保持失效(HF) | 第26-27页 | | ·失效敏感性分析 | 第27-30页 | | ·电源电压和温度影响 | 第27-28页 | | ·晶体管尺寸影响 | 第28-29页 | | ·SNM 影响 | 第29-30页 | | ·SRAM 统计设计 | 第30-34页 | | ·SRAM 良率评估模型 | 第30页 | | ·SRAM 漏电流统计评估 | 第30-31页 | | ·SRAM 面积评估 | 第31页 | | ·统计设计步骤 | 第31-32页 | | ·统计设计结果分析 | 第32-34页 | | 第四章 直流分压型稳定性提高技术 | 第34-49页 | | ·现有技术分析 | 第35-38页 | | ·双电源电压 | 第35-36页 | | ·电荷共享 | 第36-37页 | | ·电容耦合 | 第37-38页 | | ·超6 管存储单元 | 第38页 | | ·稳定性提高技术分析 | 第38-43页 | | ·读稳定性与字线 WL 电压定性分析 | 第38-40页 | | ·读稳定性与字线WL 电压仿真分析 | 第40-41页 | | ·写稳定性与存储单元电压VDD 定性分析 | 第41-42页 | | ·写稳定性与单元电压VDD 电压仿真分析 | 第42-43页 | | ·直流分压型读写辅助电路设计 | 第43-49页 | | ·读辅助电路(RAC)设计 | 第43-46页 | | ·写辅助电路（WAC)设计 | 第46-49页 | | 第五章 流片测试与结果分析 | 第49-59页 | | ·测试环境和条件 | 第50-51页 | | ·读写辅助电路功能测试 | 第51-53页 | | ·测试流程设计 | 第51-52页 | | ·测试与结果分析 | 第52-53页 | | ·写稳定性提高测试 | 第53-56页 | | ·写稳定性测试流程设计 | 第54页 | | ·写稳定性测试与结果分析 | 第54-56页 | | ·读稳定性提高测试 | 第56-57页 | | ·读稳定性测试流程设计 | 第56页 | | ·读稳定性测试与结果分析 | 第56-57页 | | ·功耗测试与分析 | 第57-59页 | | 第六章 总结和展望 | 第59-61页 | | ·总结 | 第59页 | | ·展望 | 第59-61页 | | 致谢 | 第61-62页 | | 研究生期间发表的论文 | 第62-63页 | | 参考文献 | 第63-66页 | | 详细摘要 | 第66-68页 |
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论文编号BS1657128，这篇论文共68页
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