| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-43页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 半导体存储器的分类 | 第13-16页 |
| 1.3 浮栅型存储器发展和挑战 | 第16-19页 |
| 1.4 一些新兴的非易失型存储器 | 第19-25页 |
| 1.4.1 阻变存储器件 | 第19-22页 |
| 1.4.2 相变存储器件 | 第22-23页 |
| 1.4.3 磁性随机存储器 | 第23-24页 |
| 1.4.4 铁电存储器件 | 第24-25页 |
| 1.5 电荷俘获型存储器 | 第25-31页 |
| 1.5.1 MNOS、SONOS及纳米晶型电荷俘获存储器 | 第25-29页 |
| 1.5.2 High-k电介质在电荷俘获型存储器中应用 | 第29-31页 |
| 1.6 本论文工作的意义、目的和内容 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-43页 |
| 第二章 电荷俘获型存储器的制备及存储特性表征 | 第43-59页 |
| 2.1 薄膜制备的一般方法 | 第43-44页 |
| 2.2 磁控溅射系统 | 第44-48页 |
| 2.2.1 磁控溅射原理 | 第44-46页 |
| 2.2.2 磁控溅射分类 | 第46-48页 |
| 2.3 原子层沉积系统 | 第48-50页 |
| 2.4 薄膜的基本物性表征 | 第50-51页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜 | 第50-51页 |
| 2.4.2 X射线衍射和X射线光电子能谱 | 第51页 |
| 2.4.3 高分辨透射电子显微镜 | 第51页 |
| 2.6 快速热退火处理 | 第51-52页 |
| 2.7 电荷俘获型存储器的结构和制备 | 第52-53页 |
| 2.8 存储器件的电学性能测试 | 第53-54页 |
| 2.9 本章小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 第三章 TiO_2/Al_2O_3纳米叠层电荷俘获存储器的存储特性研究 | 第59-76页 |
| 3.1 引言 | 第59-62页 |
| 3.2 TiO_2及Al_2O_3薄膜制备和微结构表征 | 第62页 |
| 3.3 TiO_2/Al_2O_3纳米叠层电荷俘获型存储器的制备 | 第62-63页 |
| 3.4 TiO_2/Al_2O_3纳米叠层电荷俘获型存储器的电学性能 | 第63-68页 |
| 3.5 TiO_2/Al_2O_3纳米叠层存储单的能带排列 | 第68-71页 |
| 3.6 本章小结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第四章 (TiO_2)_(0.9)(Al_2O_3)_(0.1)复合介质电荷俘获存储器的存储特性研究 | 第76-88页 |
| 4.1 引言 | 第76-77页 |
| 4.2 (TiO_2)_(0.9)(Al_2O_3)_(0.1)复合介质薄膜电荷俘获型存储器件的制备及电学性能研究 | 第77-78页 |
| 4.3 (TiO_2)_(0.9)(Al_2O_3)_(0.1)复合介质电荷俘获型存储器件电学性能研究 | 第78-83页 |
| 4.4 本章小结 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-88页 |
| 第五章 Al_2O_3点缺陷的第一性原理模拟 | 第88-96页 |
| 5.1 引言 | 第88-89页 |
| 5.2 计算模型 | 第89-90页 |
| 5.3 参数设置 | 第90页 |
| 5.4 计算结果及讨论 | 第90-93页 |
| 5.5 本章小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-96页 |
| 第六章 TaAlO复合介质存储层的电荷存储特性研究 | 第96-109页 |
| 6.1 引言 | 第96-97页 |
| 6.2 TaAlO复合电介质薄膜的XRD分析 | 第97页 |
| 6.3 TaAlO复合电介质薄膜存储器的制备 | 第97-99页 |
| 6.4 TaAlO复合电介质薄膜存储器的存储特性研究 | 第99-104页 |
| 6.5 本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-109页 |
| 第七章 结论与展望 | 第109-112页 |
| 7.1 全文结论 | 第109-110页 |
| 7.2 今后工作的展望 | 第110-112页 |
| Publication list | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
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