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InGaN基太阳能电池的结构设计及极化效应研究
 
     论文目录
 
摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第8-14页
    1.1 太阳能电池的研究背景及意义第8-11页
        1.1.1 研究背景第8-9页
        1.1.2 选题意义第9-11页
    1.2 国内外研究现状第11-12页
    1.3 本论文的主要安排第12-14页
第2章 太阳能电池基本原理及AMPS-1D软件介绍第14-24页
    2.1 太阳能电池基本原理第14-15页
    2.2 太阳能电池的伏安特性第15-17页
    2.3 AMPS-1D软件使用说明第17-23页
        2.3.1 基本方程第17-19页
        2.3.2 AMPS-1D软件主要界面第19-23页
    2.4 本章小结第23-24页
第3章 不同结构的InGaN太阳能电池缺陷效应研究第24-38页
    3.1 InGaN材料参数第24-25页
    3.2 缺陷对单结同质InxGa1-xN太阳能电池的影响第25-30页
        3.2.1 单结同质In0.65Ga0.35N太阳能电池结构第25-26页
        3.2.2 带尾缺陷对单结InGaN太阳能电池的影响第26-30页
    3.3 缺陷对p-GaN/i-InxGa1-xN/n-GaN太阳能电池的影响第30-35页
        3.3.1 p-GaN/i-In0.26Ga0.74N/n-GaN太阳能电池结构第30-33页
        3.3.2 本征In0.26Ga0.74N层中缺陷参数第33-34页
        3.3.3 本征In0.26Ga0.74N层中缺陷对电池的影响第34-35页
    3.4 本章小结第35-38页
第4章 极化效应对InGaN太阳能电池的影响第38-50页
    4.1 GaN材料的极化效应第38-39页
    4.2 极化电荷的计算第39-41页
    4.3 极化效应引入AMPS-1D软件第41-44页
    4.4 极化对p-GaN/i-In0.26Ga0.74N/n-GaN太阳能电池的影响第44-47页
    4.5 本章小结第47-50页
结论第50-52页
参考文献第52-56页
攻读硕士学位期间所发表的论文第56-58页
致谢第58页

 
 
论文编号BS2641878,这篇论文共58
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