中文摘要 | 第10-13页 |
ABSTRACT | 第13-15页 |
第一章 引言 | 第16-41页 |
1.1 激光器的发展概况 | 第16-17页 |
1.2 典型的固体激光器 | 第17-21页 |
1.2.1 红宝石激光器(Cr~(3+):Al_2O_3) | 第18页 |
1.2.2 掺钕钇铝石榴石激光器(Nd~(3+):YAG) | 第18-19页 |
1.2.3 掺铒钇铝石榴石激光器(Er:YAG) | 第19-20页 |
1.2.4 可调谐固体激光器 | 第20-21页 |
1.3 固体激光器的增益介质 | 第21-25页 |
1.4 键合晶体 | 第25-27页 |
1.5 脉冲激光器技术的发展 | 第27-33页 |
1.5.1 调Q技术 | 第27-30页 |
1.5.2 调Q锁模技术 | 第30页 |
1.5.3 超短脉冲技术 | 第30-33页 |
1.6 本论文的主要研究工作 | 第33-35页 |
参考文献 | 第35-41页 |
第二章 键合激光晶体的热效应理论 | 第41-57页 |
2.1 激光器晶体热效应的产生原因 | 第42-44页 |
2.2 热模型的建立 | 第44-47页 |
2.3 热传导偏微分方程的求解 | 第47-49页 |
2.4 边界条件 | 第49-50页 |
2.5 键合晶体和普通晶体的吸收系数和热焦距 | 第50-53页 |
2.5.1 晶体的吸收系数 | 第51-52页 |
2.5.2 晶体的热焦距 | 第52-53页 |
2.6 键合及普通Nd:GdVO_4晶体内部温度场分布情况 | 第53-55页 |
参考文献 | 第55-57页 |
第三章 LD泵浦键合Nd:YVO_4晶体的被动调Q激光特性研究 | 第57-74页 |
3.1 键合Nd:YVO_4晶体GaAs晶体被动调Q激光特性研究 | 第57-64页 |
3.1.1 GaAs材料的调Q机理 | 第57-60页 |
3.1.2 LD泵浦键合Nd:YVO_4晶体的被动调Q激光器实验研究 | 第60-64页 |
3.2 键合Nd:YVO_4晶体Cr~(4+):YAG被动调Q激光理论与实验研究 | 第64-71页 |
3.2.1 Cr~(4+):YAG的调Q机理分析 | 第64-65页 |
3.2.2 键合Nd:YVO_4晶体Cr~(4+):YAG被动调Q激光实验研究 | 第65-71页 |
参考文献 | 第71-74页 |
第四章 LD泵浦键合Nd:YVO_4晶体的主动调Q激光特性研究 | 第74-84页 |
4.1 电光开关的工作机理 | 第74-78页 |
4.1.1 电光调Q开关 | 第74-76页 |
4.1.2 常见的电光晶体 | 第76-78页 |
4.2 键合晶体电光调Q激光特性研究 | 第78-82页 |
参考文献 | 第82-84页 |
第五章 键合Nd:YVO_4晶体被动锁模特性研究 | 第84-101页 |
5.1 锁模的基本原理 | 第84-88页 |
5.1.1 多模激光器的输出特性 | 第84-85页 |
5.1.2 锁模脉冲的特征 | 第85-88页 |
5.2 SESAM锁模机理和条件 | 第88-92页 |
5.3 Nd:YVO_4/Nd:YVO_4/Nd:YVO_4/SESAM被动锁模的实验装置与结果分析 | 第92-97页 |
参考文献 | 第97-101页 |
第六章 LD泵浦键合Nd:GdVO_4晶体被动锁模实验研究 | 第101-113页 |
6.1 键合Nd:GdVO_4晶体内部的温度分布场分布 | 第101-105页 |
6.2 键合Nd:GdVO_4/SESAM被动锁模的实验装置与结果分析 | 第105-111页 |
参考文献 | 第111-113页 |
第七章 LD泵浦键合Nd:GdVO_4/Nd:YVO_4/Nd:GdVO_4和Nd:YVO_4/Nd:GdVO_4/Nd:YVO_4晶体被动锁模对比研究 | 第113-128页 |
7.1 键合Nd:GdVO_4/Nd:YVO_4/Nd:GdVO_4、Nd:YVO_4/Nd:GdVO_4/Nd:YVO_4晶体内部的温度场分布 | 第115-119页 |
7.2 键合Nd:GdVO_4/Nd:YVO_4/Nd:GdVO_4、Nd:YVO_4/Nd:GdVO_4/Nd:YVO_4晶体半导体饱和吸收镜被动锁模的实验装置和结果分析 | 第119-125页 |
参考文献 | 第125-128页 |
第八章 总结 | 第128-130页 |
致谢 | 第130-131页 |
攻读学位期间参与的项目以及发表的论文 | 第131-133页 |
附: 发表外文论文两篇(SCI) | 第133-144页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第144页 |