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基于一维氧化铜纳米线的光电子器件的制备及其性能研究
 
     论文目录
 
致谢第7-8页
摘要第8-9页
ABSTRACT第9页
第一章 绪论第16-31页
    1.1 纳米材料简介第16-19页
        1.1.1 纳米科技的产生与发展第16-18页
        1.1.2 纳米材料的定义及分类第18-19页
    1.2 纳米材料的合成与制备方法第19-24页
        1.2.1 化学气相沉积第20-22页
        1.2.2 溶胶-凝胶法第22-23页
        1.2.3 水热法与溶剂热合成法第23-24页
    1.3 基于纳米材料功能器件的应用第24-29页
        1.3.1 纳米场效应晶体管第24-26页
        1.3.2 纳米光电探测器第26页
        1.3.3 纳米太阳能电池第26-28页
        1.3.4 纳米存储器第28-29页
    1.4 本课题研究背景及主要目的第29-31页
第二章 实验所用设备及相关表征手段第31-38页
    2.1 实验所用设备第31-33页
        2.1.1 纳米材料合成设备第31页
        2.1.2 纳米器件制备所需设备第31-33页
    2.2 纳米材料和纳米器件的表征手段第33-37页
        2.2.1 场发射扫描电子显微镜第33-34页
        2.2.2 场发射透射电子显微镜第34-35页
        2.2.3 X射线衍射第35-36页
        2.2.4 紫外-可见吸收光谱第36-37页
    2.3 纳米器件测试设备第37页
    2.4 本章小结第37-38页
第三章 一维氧化铜纳米线的合成及其表征第38-49页
    3.1 引言第38页
    3.2 表面机械研磨处理(SMAT)第38-40页
    3.3 氧化铜纳米线的合成第40-41页
    3.4 直接加热法生长氧化铜纳米线的生长机制第41-44页
    3.5 氧化铜纳米线的表征第44-48页
    3.6 本章小结第48-49页
第四章 基于氧化铜纳米线光电器件的制备及其电学表征第49-62页
    4.1 半导体器件制备工艺第49-52页
        4.1.1 氧化铜纳米线的分散第49-50页
        4.1.2 光刻工艺第50-51页
        4.1.3 制备电极第51-52页
    4.2 基于单根氧化铜纳米线的底栅场效应晶体管第52-54页
    4.3 关于氧化铜p型特性理论研究第54-56页
    4.4 基于氧化铜纳米线的光电探测器第56-61页
    4.5 本章小结第61-62页
第五章 全文总结第62-64页
参考文献第64-69页
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况第69页

 
 
论文编号BS3911278,这篇论文共69
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