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InP基高速单片光子集成器件关键工艺的研究
 
     论文目录
 
中文摘要第1-4页
ABSTRACT第4-6页
目    录第6-8页
第一章 绪论第8-12页
   ·课题目的和意义第8-9页
   ·高速单片光子集成器件的主要制作工艺及发展现状第9-11页
   ·论文的主要内容和结果第11-12页
第二章 面向城域网的新型低成本集成光源的研究第12-23页
   ·引言第12页
   ·新型半导体集成光源的结构设计第12-16页
     ·同一外延结构的DFB激光器/EA调制器的集成第13-14页
     ·同一外延结构的FP腔激光器/EA调制器的集成第14-16页
   ·新型半导体集成光源的制作第16-20页
     ·湿法腐蚀倒台型脊波导第16-17页
     ·制作电极隔离槽第17页
     ·制作图形电极第17-18页
     ·ICP干法刻蚀耦合腔第18-20页
   ·新型集成光源的特性分析第20-22页
   ·本章小结第22-23页
第三章 基于PECVD端面减反射镀膜技术的研究第23-32页
   ·引言第23-24页
   ·单层减反射膜的理论设计第24-25页
   ·PECVD端面镀膜的夹具设计第25-27页
     ·PECVD的结构和工作原理第25-26页
     ·PECVD端面镀膜的夹具设计第26-27页
   ·PECVD端面镀模的参数控制第27页
   ·PECVD端面镀模的特性分析第27-30页
   ·本章小结第30-32页
第四章 面向40GHZ微波过渡热沉的制作第32-41页
   ·引言第32-33页
   ·微波过渡热沉制作工艺第33-37页
     ·前期制作工艺存在的问题第33-35页
     ·微波过渡热沉制作工艺的改进第35-37页
   ·微波过渡热沉的特性测试第37-40页
   ·本章小结第40-41页
结   论第41-42页
致   谢第42页
声   明第42-43页
参考文献第43-48页
本人简历第48页

 
论文编号BS1015429,这篇论文共48
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