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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--N极性GaN基薄膜材料的外延生长及特性研究
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N极性GaN基薄膜材料的外延生长及特性研究
 
     论文目录
 
摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第11-21页
    1.1 N极性GaN基材料的基本特性第11-16页
        1.1.1 GaN基材料的基本特性及其极性第11-14页
        1.1.2 N极性GaN材料的极化效应及异质结特性第14-16页
    1.2 N极性GaN基材料的应用第16-17页
    1.3 N极性GaN基材料的制备现状第17-18页
    1.4 本文的研究内容及创新点第18-21页
第二章 N极性GaN外延薄膜的生长与表征方法第21-32页
    2.1 MOCVD生长技术第21-24页
    2.2 N极性GaN基外延薄膜的表征方法第24-31页
        2.2.1 紫外可见分光光度计第24-25页
        2.2.2 霍尔效应测试仪第25-27页
        2.2.3 高分辨X射线衍射仪第27-29页
        2.2.4 光致发光光谱(PL)第29-31页
    2.3 本章小结第31-32页
第三章 MOCVD外延生长N极性GaN外延薄膜第32-54页
    3.1 引言第32页
    3.2 衬底取向对N极性GaN外延薄膜性能的影响第32-37页
    3.3 氮化条件对N极性GaN外延薄膜性能的影响第37-44页
    3.4 GaN成核层生长条件对N极性GaN外延薄膜性能的影响第44-46页
    3.5 生长Ⅴ/Ⅲ比对N极性GaN外延薄膜性能的影响第46-48页
    3.6 生长厚度对N极性GaN外延薄膜性能的影响第48-49页
    3.7 N极性GaN外延薄膜的极性判定第49-52页
    3.8 本章小结第52-54页
第四章 改进的流量调制技术生长N极性GaN外延薄膜第54-70页
    4.1 引言第54页
    4.2 流量调制技术第54-61页
        4.2.1 流量调制技术的研发与应用第54-58页
        4.2.2 流量调制技术生长N极性GaN外延薄膜第58-60页
        4.2.3 流量调制技术生长N极性GaN外延薄膜的表征第60-61页
    4.3 改进的流量调制技术第61-62页
    4.4 改进的流量调制技术生长的N极性GaN外延薄膜的表征第62-69页
        4.4.1 N极性GaN外延薄膜的XRC测试结果第63-64页
        4.4.2 N极性GaN外延薄膜的PL测试结果第64-65页
        4.4.3 N极性GaN外延薄膜的Hall测试结果第65-66页
        4.4.4 改进的流量调制技术生长的GaN成核层的AFM测试结果第66-68页
        4.4.5 改进的流量调制技术生长GaN成核层的机理分析第68-69页
    4.5 本章小结第69-70页
第五章 MOCVD外延生长N极性AlGaN外延薄膜第70-79页
    5.1 引言第70页
    5.2 氮化时间对N极性AlGaN外延薄膜性能的影响第70-78页
        5.2.1 N极性AlGaN外延薄膜的生长第71-72页
        5.2.2 N极性AlGaN外延薄膜的表面特性第72-73页
        5.2.3 N极性AlGaN外延薄膜的XRD测试结果第73-74页
        5.2.4 N极性AlGaN外延薄膜的Hall效应测试结果第74-76页
        5.2.5 N极性AlGaN外延薄膜的PL测试结果第76-78页
    5.3 本章小结第78-79页
第六章 总结与展望第79-82页
    6.1 全文工作总结第79-80页
    6.2 未来工作展望第80-82页
致谢第82-83页
参考文献第83-87页
攻读硕士学位期间的研究成果第87页

 
 
论文编号BS1626529,这篇论文共87
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