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基于碳化硅肖特基二极管的逆变器的研究 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第1-4页 | | Abstract | 第4-7页 | | 第一章 绪论 | 第7-13页 | | ·概述 | 第7-8页 | | ·电力电子技术的发展概述 | 第7页 | | ·研究背景 | 第7-8页 | | ·碳化硅（SiC）材料及碳化硅器件的发展 | 第8-11页 | | ·碳化硅（SiC）材料的应用前景 | 第8-9页 | | ·碳化硅（SiC）功率器件的发展和应用 | 第9-11页 | | ·本文主要工作 | 第11-13页 | | 第二章 逆变系统的分析研究 | 第13-21页 | | ·概述 | 第13-14页 | | ·逆变技术的简介 | 第13页 | | ·逆变器的性能参数 | 第13-14页 | | ·单相逆变主电路的结构 | 第14-16页 | | ·推挽式逆变电路（电压型） | 第14-15页 | | ·半桥式逆变电路（电压型） | 第15-16页 | | ·全桥式逆变电路（电压型） | 第16页 | | ·逆变系统的结构方案 | 第16-18页 | | ·工频逆变 | 第16-17页 | | ·高频逆变 | 第17-18页 | | ·脉宽调制技术 | 第18-20页 | | ·脉宽调制（PWM）基本原理 | 第18-19页 | | ·正弦脉宽调制（SPWM）基本原理 | 第19-20页 | | ·本章小结 | 第20-21页 | | 第三章 逆变器功率器件的分析和研究 | 第21-33页 | | ·开关器件 | 第21-27页 | | ·开关器件简介 | 第21-22页 | | ·开关器件的工作特性 | 第22-24页 | | ·开关器件的损耗分析 | 第24-26页 | | ·碳化硅功率 MOSFET | 第26-27页 | | ·续流二极管 | 第27-31页 | | ·续流二极管工作原理 | 第27-28页 | | ·续流二极管的损耗分析 | 第28-29页 | | ·碳化硅（SiC）肖特基二极管的性能优势 | 第29-31页 | | ·本章小结 | 第31-33页 | | 第四章 逆变电路的仿真分析 | 第33-41页 | | ·PSpice 简介 | 第33-34页 | | ·仿真分析 | 第34-40页 | | ·仿真电路图 | 第34-35页 | | ·仿真结果 | 第35-40页 | | ·仿真分析 | 第40页 | | ·本章小结 | 第40-41页 | | 第五章 逆变系统的设计与测试 | 第41-51页 | | ·逆变系统的设计与制作 | 第41-46页 | | ·逆变系统的设计目标 | 第41页 | | ·功率主电路的设计 | 第41-43页 | | ·控制电路的设计 | 第43-45页 | | ·电路板的制作 | 第45-46页 | | ·逆变系统的测试 | 第46-49页 | | ·前级电路的测试 | 第46-47页 | | ·后级电路的测试 | 第47页 | | ·前后级联机测试 | 第47-49页 | | ·本章小结 | 第49-51页 | | 第六章 结束语 | 第51-53页 | | 致谢 | 第53-55页 | | 参考文献 | 第55-57页 | | 研究成果 | 第57-58页 |
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论文编号BS1734129，这篇论文共58页
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