| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 第1章 前言 | 第12-39页 |
| ·忆阻器简介 | 第12-13页 |
| ·阻变式随机存储器(RRAM)研究进展 | 第13-23页 |
| ·阻变式随机存储器(RRAM) | 第14-15页 |
| ·阻变式随机存储器(RRAM)物理机制 | 第15-19页 |
| ·阻变式随机存储器(RRAM)的发展 | 第19-23页 |
| ·神经突触仿生器件研究进展 | 第23-33页 |
| ·神经突触简介 | 第23-24页 |
| ·忆阻器模型 | 第24-29页 |
| ·神经突触仿生器件研究 | 第29-33页 |
| ·本论文选题内容与研究意义 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-39页 |
| 第2章 基于金属氧化物的阻变式随机存储器 | 第39-65页 |
| ·简述 | 第39页 |
| ·限制电流对电阻转变过程的影响 | 第39-44页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·Al/CoO/Cu 阻变式随机存储器制备 | 第40页 |
| ·Al/CoO/Cu 阻变式随机存储器特性研究 | 第40-41页 |
| ·限制电流对 Al/CoO/Cu 阻变特性的影响 | 第41-44页 |
| ·本节小结 | 第44页 |
| ·电压极性对阻变式随机存储器(RRAM)的影响 | 第44-53页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·Al/InGaZnO/Cu 阻变式随机存储器制备 | 第45页 |
| ·Al/InGaZnO/Cu 阻变式随机存储器特性研究 | 第45-48页 |
| ·不同电极对 InGaZnO 阻变式随机存储器的影响 | 第48-49页 |
| ·电压极性对 Al/InGaZnO/Cu 阻变式随机存储器的影响 | 第49-53页 |
| ·本节小结 | 第53页 |
| ·非均匀电场对阻变式随机存储器(RRAM)的影响 | 第53-61页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·Al/Al:Ag/ZnO/Pt 阻变式随机存储器的制备 | 第53-54页 |
| ·Al/Al:Ag/ZnO/Pt 阻变式随机存储器特性研究 | 第54-57页 |
| ·Al/Al:Ag/ZnO/Pt 阻变式随机存储器物理机制 | 第57-61页 |
| ·本节小结 | 第61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第3章 基于 InGaZnO 材料的忆阻器神经突触仿生器件研究 | 第65-79页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·InGaZnO 基忆阻器件制备 | 第66-67页 |
| ·神经突触学习功能仿生模拟 | 第67-73页 |
| ·非线性传输特性的模拟 | 第67-68页 |
| ·神经突触可塑性功能的模拟 | 第68-70页 |
| ·长时/短时可塑性和―学习经验式‖行为 | 第70-73页 |
| ·InGaZnO 基忆阻器件运行物理机制 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第4章 一维纳米结构忆阻器及其神经突触仿生器件研究 | 第79-93页 |
| ·引言 | 第79页 |
| ·TiO2纳米线忆阻器件制备 | 第79-82页 |
| ·TiO2纳米线忆阻器件特性研究 | 第82-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第5章 总结与展望 | 第93-95页 |
| ·总结 | 第93页 |
| ·展望 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
| 在学期间公开发表论文及参加学术会议情况 | 第96页 |
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