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基于第一性原理的ZnO材料的计算机模拟计算 |
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论文目录 |
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摘要 | 第1-4页 | Abstract | 第4-7页 | 第一章 绪论 | 第7-9页 | ·计算机材料设计的现状以及发展 | 第7-8页 | ·我国的材料计算机设计方面的研究进展 | 第8-9页 | 第二章 软件分析比较与选择 | 第9-20页 | ·近期出现的国内外优秀的材料设计方面的软件 | 第9-15页 | ·Materials studio | 第9-12页 | ·VASP | 第12-13页 | ·Materials Explorer 软件 | 第13-14页 | ·总结 | 第14-15页 | ·材料模拟计算的设计流程及步骤 | 第15-16页 | ·材料的第一性原理计算理论 | 第16-20页 | 第三章 ZnO 的特性及其掺杂机理的研究 | 第20-36页 | ·ZnO 的特性 | 第20-22页 | ·ZnO 的具体应用 | 第22-23页 | ·气敏特性的应用 | 第22页 | ·光性能的应用 | 第22页 | ·化学性能的应用 | 第22页 | ·半导体性能的应用 | 第22-23页 | ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第23-26页 | ·磁控溅射技术 | 第23-24页 | ·脉冲激光沉积法 | 第24-25页 | ·分子束外延法 | 第25页 | ·化学气相沉积法 | 第25-26页 | ·ZnO 材料中的本征缺陷 | 第26-27页 | ·ZnO 的n 型掺杂 | 第27-28页 | ·III 族元素掺杂 | 第27-28页 | ·IV 族元素掺杂 | 第28页 | ·VII 族元素的掺杂 | 第28页 | ·ZnO 的p 型掺杂的详细讨论 | 第28-30页 | ·本征p 型ZnO | 第29页 | ·I 族元素的p 型掺杂 | 第29-30页 | ·V 族元素的p 型掺杂 | 第30页 | ·不同元素的p 型单掺杂 | 第30-32页 | ·仅掺杂N | 第30-31页 | ·P、As 的掺杂 | 第31-32页 | ·H 辅助掺杂技术 | 第32页 | ·共掺杂技术 | 第32-36页 | ·N-Ga 共掺杂 | 第34-35页 | ·N-In 共掺杂 | 第35页 | ·N-Al 共掺杂 | 第35-36页 | 第四章 ZnO 的第一性原理计算 | 第36-54页 | ·纯净的ZnO 光学属性的计算 | 第36-38页 | ·晶体光学属性计算的理论基础 | 第36-38页 | ·软件计算光学属性的步骤及其方法 | 第38-43页 | ·ZnO 的光学属性的计算 | 第43-45页 | ·ZnO 能量损失函数 | 第43页 | ·ZnO 的折射率和消光率图谱 | 第43-44页 | ·ZnO 的反射光谱 | 第44-45页 | ·ZnO 的介电函数图谱 | 第45页 | ·掺杂后的ZnO 光学属性比较 | 第45-53页 | ·ZnO 三种结构的功损失函数 Loss Function | 第47-48页 | ·ZnO 三种结构的折射率和消光率图谱 | 第48-50页 | ·ZnO 三种结构的反射率图谱 | 第50-51页 | ·ZnO 三种结构的介电函数图谱 | 第51-53页 | ·总结 | 第53-54页 | 第五章 计算机材料设计:ZnO 的掺杂结构的建立及比较 | 第54-66页 | ·模型的选定 | 第54-57页 | ·计算的设定及相关理论 | 第57-60页 | ·ZnO 共掺杂计算结果分析 | 第60-65页 | ·能带图的分析 | 第60-62页 | ·态密度图的分析 | 第62-65页 | ·结论 | 第65-66页 | 结论 | 第66-67页 | 致谢 | 第67-68页 | 参考文献 | 第68-71页 | 作者研究生期间的研究成果 | 第71-72页 |
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