| 摘要 | 第1-8页 |
| 绪论 | 第8-14页 |
| 一、半导体硅的中子嬗变掺杂 | 第8-11页 |
| 二、GaAs半导体材料的基本性质 | 第11-13页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第一章 中子辐照GaAs掺杂研究中存在的问题 | 第14-28页 |
| 一、国外研究现状 | 第14-17页 |
| 二、国内近期研究现状 | 第17-19页 |
| 三、中子辐照GaAs嬗变掺杂研究中存在的问题 | 第19-25页 |
| 1 中子辐照GaAs嬗变掺杂原理及杂质浓度的计算 | 第19页 |
| 2 中子辐照GaAs嬗变杂质种类 | 第19-20页 |
| 3 快中子辐照SI-GaAs是否掺入了Cu杂质及GeAs的形成 | 第20-23页 |
| 4 14MeV中子辐照SI-GaAs | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-28页 |
| 第二章 SI-GaAs堆中子(n，γ)反应的嬗变掺杂 | 第28-49页 |
| §2.1 SI-GaAs反应堆中子(n，γ)反应机制 | 第28-38页 |
| 1 反应堆中子谱 | 第28页 |
| 2 中子核反应截面与有效中子截面 | 第28-33页 |
| 3 SI-GaAs反应堆中子(n，γ)反应及生成核的衰变 | 第33-38页 |
| §2.2 SI-GaAs反应堆中子(n，γ)反应掺杂浓度计算 | 第38-44页 |
| 1 宏观截面与掺杂转换系数 | 第38-40页 |
| 2 SI-GaAs反应堆中子(n，γ)反应嬗变掺杂浓度计算 | 第40-44页 |
| §2.3 ~(70)Ga、~(72)Ga及~(76)As生成核的次级(n，γ)反应机制 | 第44-46页 |
| 1 ~(70)Ga的(n，γ)反应机制 | 第44页 |
| 2 ~(72)Ga的(n，γ)反应机制 | 第44-45页 |
| 3 ~(76)As的(n，γ)反应机制 | 第45-46页 |
| §2.4 小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第三章 SI-GaAs堆快中子的嬗变掺杂 | 第49-69页 |
| §3.1 SI-GaAs堆快中子~(75)As(n，2n)~(74)As反应的嬗变掺杂浓度测量 | 第49-55页 |
| 1 实验过程 | 第49-52页 |
| 2 杂质浓度计算 | 第52-54页 |
| 3.结果与讨论 | 第54-55页 |
| ·SI-GaAs堆快中子核反应及生成核的衰变机制 | 第55-63页 |
| ·SI-GaAs堆快中子反应掺杂与杂质缺陷 | 第63-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第四章 SI-GaAs 14 MeV中子的宏观截面 | 第69-96页 |
| ·宏观截面测量原理及意义 | 第69-73页 |
| ·样品辐照与γ放射性测量 | 第73-75页 |
| ·生成锗和硒杂质的核反应宏观截面测量 | 第75-84页 |
| ·生成锌、铜杂质的核反应宏观截面计算 | 第84-86页 |
| ·锗、硒、锌及铜杂质转换系数及其浓度 | 第86-93页 |
| ·小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-96页 |
| 结语 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98页 |
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