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电沉积制备Cu(In,Ga)Se2薄膜性能的研究 |
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论文目录 |
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摘要 | 第1-6页 | Abstract | 第6-9页 | 第一章 绪论 | 第9-18页 | ·太阳电池的研究背景 | 第9-10页 | ·CIGS 薄膜太阳电池的发展现状 | 第10-11页 | ·国外发展现状 | 第10-11页 | ·国内发展现状 | 第11页 | ·电沉积法制备CIGS 薄膜太阳电池 | 第11-14页 | ·电沉积CIGS 薄膜的原理 | 第12-13页 | ·电沉积CIGS 薄膜的影响因素 | 第13-14页 | ·电沉积CIGS 薄膜太阳电池的研究概况 | 第14-16页 | ·国外研究概况 | 第14-16页 | ·国内研究概况 | 第16页 | ·本论文的主要研究内容 | 第16-18页 | 第二章 实验方法 | 第18-28页 | ·CIGS 预置层的电沉积 | 第18-20页 | ·实验装置 | 第18页 | ·实验材料 | 第18-19页 | ·工艺流程 | 第19-20页 | ·CIGS 预置层的热处理 | 第20-22页 | ·硒化处理 | 第20-21页 | ·硒化前后的蒸发处理 | 第21-22页 | ·电池的制备 | 第22-23页 | ·CIGS 薄膜的测试方法 | 第23-28页 | ·X 射线荧光光谱仪(XRF) | 第23-24页 | ·X 射线衍射仪(XRD) | 第24-25页 | ·扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 | ·电池性能测试 | 第26-28页 | 第三章 实验结果与分析 | 第28-51页 | ·CIGS 预置层的电沉积 | 第28-35页 | ·贫Cu 预置层的成分分析 | 第28-31页 | ·富Cu 预置层的成分分析 | 第31-33页 | ·预置层晶相结构分析 | 第33-34页 | ·预置层表面形貌分析 | 第34-35页 | ·贫Cu 预置层的硒化 | 第35-41页 | ·硒源温度对薄膜性能的影响 | 第35-37页 | ·衬底温度对薄膜性能的影响 | 第37-39页 | ·快速加热对薄膜性能的影响 | 第39-41页 | ·富Cu 预置层的硒化 | 第41-45页 | ·预置层的蒸发处理 | 第45-50页 | ·硒化后蒸发处理的研究 | 第45-48页 | ·硒化前蒸发处理的研究 | 第48-50页 | ·本章小结 | 第50-51页 | 结论 | 第51-52页 | 参考文献 | 第52-54页 | 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第54-55页 | 致谢 | 第55-56页 |
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