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纳米结构中自旋与谷极化输运性质的理论研究
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纳米结构中自旋与谷极化输运性质的理论研究
论文目录
摘要
第1-6页
Abstract
第6-11页
第一章 绪论
第11-55页
·纳米电子学概述
第11-16页
·电子的弹道输运
第11-12页
·相位干涉
第12-13页
·普适电导涨落
第13-14页
·库伦阻塞
第14-16页
·石墨烯概述
第16-25页
·石墨烯的发现与制备方法
第16-17页
·石墨烯的基本结构和性质
第17-21页
·石墨烯的电学特性
第21-25页
·硅烯概述
第25-30页
·硅烯的发现与制备方法
第25-27页
·硅烯的基本结构和性质
第27-29页
·硅烯的电学特性
第29-30页
·自旋电子学与谷电子学简介
第30-35页
·自旋电子学和自旋电子学器件
第30-33页
·谷电子学和谷电子学进展
第33-35页
·理论研究方法
第35-46页
·散射矩阵与转移矩阵的定义
第35-40页
·散射矩阵与转移矩阵的关系
第40-41页
·Landauer-Biittiker公式
第41-46页
参考文献
第46-55页
第二章 栅压调控普通瓜ashba自旋轨道耦合/普通石墨烯结构中电子的自旋极化输运
第55-68页
·研究背景
第55页
·理论模型
第55-58页
·数值结果和讨论
第58-61页
·本章小结
第61-63页
参考文献
第63-68页
第三章 界面自旋轨道耦合对自旋极化输运的影响
第68-81页
·研究背景
第68-69页
·理论模型
第69-73页
·数值结果与讨论
第73-76页
·本章小结
第76-78页
参考文献
第78-81页
第四章 硅烯材料中电子的自旋极化与谷极化输运
第81-96页
·研究背景
第81-82页
·理论模型
第82-85页
·数值结果与讨论
第85-88页
·本章小结
第88-90页
参考文献
第90-96页
第五章 总结和展望
第96-101页
·总结
第96-97页
·展望
第97-99页
参考文献
第99-101页
博士期间发表和待发表的论文
第101-103页
致谢
第103-104页
论文编号
BS2380503
,这篇论文共
104
页
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36.4
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