摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
专用术语注释表 | 第9-10页 |
第一章 绪论 | 第10-18页 |
1.1 引言 | 第10-13页 |
1.2 通信网络中的光子集成 | 第13页 |
1.3 氮化镓基波导与光子集成器件的发展 | 第13-15页 |
1.3.1 波导的结构类型 | 第13-14页 |
1.3.2 波导及光子集成器件的制备方法 | 第14页 |
1.3.3 基于氮化镓材料的波导及光子集成器件的发展 | 第14-15页 |
1.4 本文主要工作内容 | 第15-16页 |
1.5 本文结构安排 | 第16-18页 |
第二章 介质光波导理论分析与计算 | 第18-28页 |
2.1 条形光波导模式分析 | 第18-22页 |
2.1.1 马卡梯里法(Marcatili) | 第18-22页 |
2.1.2 等效折射率法 | 第22页 |
2.2 数值求解算法 | 第22-25页 |
2.2.1 时域有限差分算法(FDTD) | 第23-25页 |
2.2.2 有效元法(FEM) | 第25页 |
2.3 Rsoft仿真软件 | 第25-26页 |
2.4 测试平台 | 第26-27页 |
2.4.1 结构表征平台 | 第26页 |
2.4.2 光谱特性与电学特性测试平台 | 第26-27页 |
2.5 本章小结 | 第27-28页 |
第三章 悬空InGaN/GaN量子阱光波导器件 | 第28-36页 |
3.1 概述 | 第28页 |
3.2 悬空氮化物InGaN/GaN量子阱光波导设计 | 第28-30页 |
3.2.1 悬空InGaN/GaN量子阱光波导器件材料选择 | 第28-29页 |
3.2.2 悬空InGaN/GaN量子阱光波导器件结构 | 第29-30页 |
3.2.3 悬空InGaN/GaN量子阱光波导器件的模式分析 | 第30页 |
3.3 悬空氮化物InGaN/GaN量子阱光波导器件的加工 | 第30-31页 |
3.3.1 工艺流程 | 第30-31页 |
3.4 悬空氮化物InGaN/GaN量子阱光波导器件的测试分析 | 第31-35页 |
3.4.1 结构表征 | 第31-32页 |
3.4.2 光致发光测试 | 第32页 |
3.4.3 传输测试与分析 | 第32-34页 |
3.4.4 波导改进方案 | 第34-35页 |
3.5 本章小结 | 第35-36页 |
第四章 悬空氮化物平面多分支波导器件 | 第36-45页 |
4.1 引言 | 第36页 |
4.2 悬空氮化物多分支器件的设计 | 第36-37页 |
4.2.1 悬空氮化物平面多分支波导器件的结构 | 第36-37页 |
4.2.2 器件的创新性 | 第37页 |
4.3 悬空氮化物多分支器件的加工 | 第37-39页 |
4.3.1 工艺流程 | 第37-39页 |
4.4 悬空氮化物多分支器件测试 | 第39-42页 |
4.4.1 器件的结构表征 | 第39-40页 |
4.4.2 器件的光致发光测试 | 第40-42页 |
4.5 悬空氮化物平面多分支波导器件的模拟分析 | 第42-44页 |
4.5.1 波导模式分析 | 第42页 |
4.5.2 传输模拟 | 第42-44页 |
4.6 本章小结 | 第44-45页 |
第五章 悬空氮化物平面光子集成器件 | 第45-55页 |
5.1 引言 | 第45-47页 |
5.1.1 集成光子器件的应用 | 第45-46页 |
5.1.2 波导与LED光源集成光子器件的发展 | 第46-47页 |
5.2 悬空氮化物LED光源与单波导集成 | 第47-52页 |
5.2.1 悬空氮化物LED与单波导集成器件设计 | 第47-48页 |
5.2.2 悬空氮化物LED与单波导集成器件的加工 | 第48-50页 |
5.2.3 悬空氮化物LED与单波导集成器件的测试 | 第50-52页 |
5.3 氮化物悬空LED器件的光电探测功能 | 第52-54页 |
5.3.1 氮化物悬空薄膜LED器件的光电流响应 | 第52-54页 |
5.4 本章小结 | 第54-55页 |
第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
6.1 论文工作总结 | 第55-56页 |
6.2 未来工作展望 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-60页 |
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第60-61页 |
附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第61-62页 |
附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第62-63页 |
致谢 | 第63页 |