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Si基LED外延层中C、H、O污染的SIMS研究
 
     论文目录
 
摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第一章 序言第8-24页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 ALN和GAN的结构及其性质第9-13页
        1.2.1 AlN和GaN的基本结构第9-12页
        1.2.2 Ⅲ-Ⅴ族氮化物的电学性能第12页
        1.2.3 Ⅲ-Ⅴ族氮化物的光学性能第12-13页
    1.3 二次离子质谱仪(SIMS)的简介第13-20页
        1.3.1 二次离子质谱学的简介及其发展第13-15页
        1.3.2 二次离子质谱仪的基本原理及其优缺点第15-16页
        1.3.3 IMS-7F型SIMS部分主要部件简介第16-18页
        1.3.4 二次离子质谱仪的性能指标第18-20页
    1.4 二次离子质谱仪(SIMS)的研究与应用进展第20-22页
        1.4.1 深度剖析及SIMS在半导体材料中的分析应用第20-21页
        1.4.2 SIMS在聚合物、有机物以及生物样品分析中的应用第21-22页
        1.4.3 SIMS在地质以及空间科学中的应用第22页
        1.4.4 SIMS在其它领域的应用第22页
    1.5 本论文的研究内容及其行文安排第22-24页
第二章 SIMS定量分析GAN外延层中的C、H、O第24-40页
    2.1 引言第24页
    2.2 SIMS定量分析第24-27页
        2.2.1 基体效应第24-25页
        2.2.2 SIMS定量分析方法第25页
        2.2.3 相对灵敏因子的定义第25-26页
        2.2.4 深度剖析曲线的深度标定第26-27页
    2.3 克服样品吸附空气对SIMS定量分析C、H、O的影响第27-35页
        2.3.1 引言第27-28页
        2.3.2 实验第28-30页
        2.3.3 结果与讨论第30-35页
        2.3.4 小结第35页
    2.4 同时分析元素数量对SIMS定量分析C、H、O的影响第35-39页
        2.4.1 引言第36页
        2.4.2 实验第36页
        2.4.3 结果与讨论第36-38页
        2.4.4 小结第38-39页
    2.5 本章小结第39-40页
第三章 GAN及ALN中C、H、O污染的SIMS研究第40-60页
    3.1 引言第40页
    3.2 MOCVD简介及C、H、O在氮化物半导体中的存在形式和来源第40-45页
        3.2.1 MOCVD系统简介第40-42页
        3.2.2 C杂质在氮化物半导体材料中的存在形式及来源第42-44页
        3.2.3 H杂质在氮化物半导体材料中的存在形式及来源第44-45页
        3.2.4 O杂质在氮化物半导体材料中的存在形式及来源第45页
    3.3 氨气流量对GAN外延层中C、H、O污染的影响第45-51页
        3.3.1 引言第45-46页
        3.3.2 实验第46-47页
        3.3.3 结果与讨论第47-51页
        3.3.4 小结第51页
    3.4 氨气流量对ALN外延层中C、H、O污染的影响第51-59页
        3.4.1 引言第51页
        3.4.2 实验第51-53页
        3.4.3 结果与讨论第53-58页
        3.4.4 小结第58-59页
    3.5 本章小结第59-60页
第四章 总结第60-61页
致谢第61-62页
参考文献第62-66页

 
 
论文编号BS3419503,这篇论文共66
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