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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--金属—绝缘体—金属/半导体结构的电学性质研究
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金属—绝缘体—金属/半导体结构的电学性质研究
 
     论文目录
 
中文摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第9-17页
    1.1 引言第9页
    1.2 随机阻变存储器基本结构和工作原理第9-10页
    1.3 随机阻变存储器性能参数第10-11页
        1.3.1 运行电压第10-11页
        1.3.2 运行速度第11页
        1.3.3 开关比第11页
        1.3.4 寿命第11页
        1.3.5 保持时间第11页
    1.4 随机阻变存储器机制分类第11-12页
    1.5 介电层第12页
    1.6 介电层的研究进展第12-13页
    1.7 导电原子力显微镜在该领域的应用第13页
    1.8 本论文的主要内容及研究意义第13-14页
    参考文献第14-17页
第二章 原子力显微镜环境舱的制备及在RRAM中的应用第17-26页
    2.1 引言第17页
    2.2 实验仪器及材料试剂第17-18页
    2.3 环境舱的原理及制备方法第18-19页
    2.4 环境舱性能研究第19-24页
    2.5 原子力显微镜环境舱在随机阻变存储器中的应用第24页
    2.6 本章小结第24页
    参考文献第24-26页
第三章 基于二维介电层随机阻变存储器的制备及表征第26-50页
    3.1 引言第26-28页
    3.2 实验仪器与材料第28-29页
    3.3 H_FO_2/P_T/S_IO_2结构的制备第29页
    3.4 随机阻变存储器的制备第29-30页
        3.4.1 50nm Au/10nm Ti/BN/Cu器件的制备第29页
        3.4.2 50nm Au/BN/Cu以及 50nm Pt/BN/Cu器件的制备第29-30页
    3.5 二维氮化硼在随机阻变存储器中的性质研究第30-45页
        3.5.1 氮化硼的电学可靠性研究第30-38页
        3.5.2 氮化硼的击穿第38-41页
        3.5.3 氮化硼随机阻变存储器第41-45页
    3.6 本章小结第45页
    参考文献第45-50页
第四章 MOS结构在原子力显微镜中的电流第50-70页
    4.1 引言第50-51页
    4.2 实验仪器与材料试剂第51-52页
    4.3 镍/二氧化硅/硅MOS结构的制备第52-53页
        4.3.1 大尺寸镍/二氧化硅/硅MOS结构的制备第52-53页
        4.3.2 小尺寸镍/二氧化硅/硅MOS结构的制备第53页
    4.4 铱/氧化钛/氧化硅/硅MOS结构的制备第53页
    4.5 原子力显微镜测试电流产生原因第53-67页
    4.6 结论第67-68页
    参考文献第68-70页
第五章 全文总结与展望第70-72页
    5.1 全文总结第70页
    5.2 研究展望第70-72页
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文第72-75页
致谢第75-76页

 
 
论文编号BS2564380,这篇论文共76
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