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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--氧化物TFT陷阱态分布(DOS)提取研究及应用
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氧化物TFT陷阱态分布(DOS)提取研究及应用
 
     论文目录
 
摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 研究背景第11-12页
    1.2 氧化物TFT的概述第12-15页
        1.2.1 氧化物TFT的器件结构第12页
        1.2.2 氧化物TFT的工作原理第12-13页
        1.2.3 氧化物TFT的重要器件参数第13-14页
        1.2.4 氧化物TFT的制备与电学性能表征第14-15页
    1.3 氧化物陷阱态提取的研究现状第15-17页
        1.3.1 体内陷阱态提取的研究现状第15-16页
        1.3.2 界面陷阱态提取的研究现状第16-17页
    1.4 主要的研究内容和意义第17-19页
第二章 氧化物TFT的陷阱态简介第19-34页
    2.1 引言第19页
    2.2 氧化物的能带结构与界面陷阱效应第19-22页
        2.2.1 氧化物的能带结构第19-21页
        2.2.2 氧化物的界面陷阱效应第21-22页
    2.3 陷阱态分布对氧化物TFT器件电学性能的影响第22-23页
        2.3.1 体内陷阱态分布对氧化物TFT器件电学性能的影响第22-23页
        2.3.2 界面陷阱态分布对氧化物TFT器件电学性能的影响第23页
    2.4 氧化物TFT界面和体内陷阱态的提取方法第23-33页
        2.4.1 微分理想因子法(DIFT)提取TFT的体内陷阱态分布第23-25页
        2.4.2 利用TFT的C-V特性提取界面和体内陷阱态分布第25-29页
        2.4.3 温度场效应法(TDFE)提取TFT的体内陷阱态分布第29-31页
        2.4.4 用光照特性提取TFT的体内陷阱态分布第31-33页
    2.5 本章小结第33-34页
第三章 氧化物TFT界面和体内陷阱态的提取第34-48页
    3.1 引言第34页
    3.2 泊松方程的数值求解第34-38页
    3.3 界面陷阱态的提取第38-44页
        3.3.1 界面和体内陷阱态的提取第38-40页
        3.3.2 平带电压的提取第40-42页
        3.3.3 提取步骤第42页
        3.3.4 实验测试第42-44页
    3.4 结果与分析第44-46页
    3.5 本章小结第46-48页
第四章 氧化物TFT的平带电容模型第48-57页
    4.1 引言第48页
    4.2 被陷阱俘获的电子密度第48-50页
    4.3 平带电容模型第50-52页
    4.4 结果与讨论第52-55页
    4.5 本章小结第55-57页
第五章 陷阱态分布在氧化物薄膜晶体管的应用第57-64页
    5.1 引言第57页
    5.2 退火温度对氧化物TFT陷阱态分布的影响第57-59页
    5.3 偏压对氧化物TFT陷阱态分布的影响第59-60页
    5.4 光照对氧化物TFT陷阱态分布的影响第60-62页
    5.5 本章小结第62-64页
结论第64-66页
参考文献第66-73页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第73-75页
致谢第75-76页
附录第76页

 
 
论文编号BS3811580,这篇论文共76
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