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单片集成波长可切换半导体激光器及高速Q调制技术研究 |
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| 论文目录 |
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| 致谢 | 第1-6页 | | 摘要 | 第6-8页 | | Abstract | 第8-12页 | | 第一章 绪论 | 第12-24页 | | ·引言 | 第12-13页 | | ·单片集成可调谐半导体激光器的研究现状 | 第13-18页 | | ·高速光调制技术的研究概况 | 第18-20页 | | ·本论文的主要研究内容及创新点 | 第20-24页 | | ·本论文的章节安排 | 第20-21页 | | ·本论文的创新点 | 第21-24页 | | 第二章 V型耦合腔宽带可调谐激光器 | 第24-50页 | | ·V型耦合腔的结构及操作原理 | 第24-28页 | | ·V型耦合腔可调谐激光器的性能分析以及优化设计 | 第28-42页 | | ·V型腔中的深刻蚀反射槽 | 第28-30页 | | ·V型腔的阈值条件 | 第30-32页 | | ·V型耦合腔结构参数的优化 | 第32-42页 | | ·半波耦合器的特点及设计 | 第42-50页 | | 第三章 V耦合型腔的动态调谐过程 | 第50-60页 | | ·波长切换的稳态特性 | 第50-54页 | | ·波长切换的瞬态过程及切换延迟 | 第54-60页 | | 第四章 V型腔的制作工艺及实验测试结果 | 第60-74页 | | ·V型腔的制作工艺流程 | 第60-68页 | | ·V型腔实验测试结果 | 第68-74页 | | 第五章 高速Q调制的分析 | 第74-90页 | | ·Q调制的小信号分析及频率响应 | 第74-80页 | | ·Q调制的小信号解 | 第74-76页 | | ·直接调制与Q调制的对比 | 第76-80页 | | ·大信号Q调制及其影响参数 | 第80-90页 | | ·不同速率Q调制与直接调制的比较 | 第80-83页 | | ·激光器的Q值对调制结果的影响 | 第83-86页 | | ·其他影响Q调制的因素 | 第86-90页 | | 第六章 基于DFB及V型腔的半导体激光器的高速Q调制 | 第90-118页 | | ·基于后反射镜调制的DFB激光器的高速Q调制 | 第90-104页 | | ·基于后反射镜调制的DFB激光器结构 | 第90-94页 | | ·非相移DFB激光器的阈值分析 | 第94-99页 | | ·Traveling-wave Model及非相移DFB激光器Q调制的时域分析 | 第99-104页 | | ·基于调节腔内损耗实现Q调制的DFB激光器结构 | 第104-110页 | | ·基于V型耦合腔和Q调制的波长可切换的波长转换器 | 第110-118页 | | ·波长可大范围切换全光波长转换器的结构及原理 | 第111-112页 | | ·电吸收调制区的交叉饱和吸收效应 | 第112-115页 | | ·波长转换的结果分析及讨论 | 第115-118页 | | 第七章 总结与展望 | 第118-122页 | | 参考文献 | 第122-133页 | | 作者简介 | 第133页 |
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论文编号BS419830，这篇论文共133页
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