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电热耦合对铜柱凸点界面化合物生长的影响研究
 
     论文目录
 
摘要第3-5页
ABSTRACT第5-7页
第一章 绪论第10-30页
    1.1 高密度封装技术的发展第10-14页
        1.1.1 高密度封装技术的分类第11-12页
        1.1.2 高密度封装技术的难题第12-14页
    1.2 铜柱凸点在高密度封装中的发展第14-20页
        1.2.1 铜柱凸点的制备第15-17页
        1.2.2 铜柱凸点的IMC反应机理第17-18页
        1.2.3 界面IMC对于凸点可靠性的影响第18-20页
    1.3 互连焊点中的电热耦合现象第20-29页
        1.3.1 电迁移物理机制第21-22页
        1.3.2 电热耦合作用的各种影响因素第22-27页
            1.3.2.1 工作温度第22-23页
            1.3.2.2 焊料成分第23-27页
        1.3.3 电热耦合作用在焊点中对界面IMC的影响第27-29页
    1.4 研究目的及主要内容第29-30页
第二章 实验方法第30-40页
    2.1 掩模版及图形化芯片的制作第30-32页
    2.2 通电实验装置的搭建第32-34页
    2.3 热压键合处理第34-36页
        2.3.1 实验仪器第34-35页
        2.3.2 剪切实验第35-36页
    2.4 微观组织表征第36-40页
        2.4.1 微凸点截面试样观察方法第36-38页
        2.4.2 IMC组成及其厚度的确定第38-40页
第三章 低电流密度下电热耦合对铜柱凸点界面化合物生长的影响第40-58页
    3.1 引言第40-41页
    3.2 150 °C下零电流对铜柱凸点界面化合物生长的影响第41-46页
    3.3 150 °C下微电流对铜柱凸点界面化合物生长的影响第46-53页
        3.3.1 键合参数初探第46-51页
        3.3.2 不同作用时间下铜柱凸点界面化合物的生长第51-53页
    3.4 150°C微电流密度下电热耦合作用对界面化合物生长的影响第53-56页
    3.5 本章小结第56-58页
第四章 高电流密度下电热耦合对铜柱凸点界面化合物生长的影响第58-74页
    4.1 引言第58页
    4.2 150°C高电流密度下铜柱凸点界面化合物的生长第58-67页
        4.2.1 不同作用时间下铜柱凸点界面化合物成分及厚度的变化第58-62页
        4.2.2 150°C下电流密度对铜柱界面化合物成分及厚度的影响机理第62-67页
    4.3 180°C高电流密度下铜柱凸点界面化合物的生长第67-71页
    4.4 本章小结第71-74页
第五章 全文总结第74-78页
    5.1 主要结论第74-76页
    5.2 不足及展望第76-78页
参考文献第78-88页
致谢第88-90页
攻读硕士学位期间以发表或录用的论文第90-92页

 
 
论文编号BS4628730,这篇论文共92
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