| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 高密度封装技术的发展 | 第10-14页 |
| 1.1.1 高密度封装技术的分类 | 第11-12页 |
| 1.1.2 高密度封装技术的难题 | 第12-14页 |
| 1.2 铜柱凸点在高密度封装中的发展 | 第14-20页 |
| 1.2.1 铜柱凸点的制备 | 第15-17页 |
| 1.2.2 铜柱凸点的IMC反应机理 | 第17-18页 |
| 1.2.3 界面IMC对于凸点可靠性的影响 | 第18-20页 |
| 1.3 互连焊点中的电热耦合现象 | 第20-29页 |
| 1.3.1 电迁移物理机制 | 第21-22页 |
| 1.3.2 电热耦合作用的各种影响因素 | 第22-27页 |
| 1.3.2.1 工作温度 | 第22-23页 |
| 1.3.2.2 焊料成分 | 第23-27页 |
| 1.3.3 电热耦合作用在焊点中对界面IMC的影响 | 第27-29页 |
| 1.4 研究目的及主要内容 | 第29-30页 |
| 第二章 实验方法 | 第30-40页 |
| 2.1 掩模版及图形化芯片的制作 | 第30-32页 |
| 2.2 通电实验装置的搭建 | 第32-34页 |
| 2.3 热压键合处理 | 第34-36页 |
| 2.3.1 实验仪器 | 第34-35页 |
| 2.3.2 剪切实验 | 第35-36页 |
| 2.4 微观组织表征 | 第36-40页 |
| 2.4.1 微凸点截面试样观察方法 | 第36-38页 |
| 2.4.2 IMC组成及其厚度的确定 | 第38-40页 |
| 第三章 低电流密度下电热耦合对铜柱凸点界面化合物生长的影响 | 第40-58页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 150 °C下零电流对铜柱凸点界面化合物生长的影响 | 第41-46页 |
| 3.3 150 °C下微电流对铜柱凸点界面化合物生长的影响 | 第46-53页 |
| 3.3.1 键合参数初探 | 第46-51页 |
| 3.3.2 不同作用时间下铜柱凸点界面化合物的生长 | 第51-53页 |
| 3.4 150°C微电流密度下电热耦合作用对界面化合物生长的影响 | 第53-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 高电流密度下电热耦合对铜柱凸点界面化合物生长的影响 | 第58-74页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 150°C高电流密度下铜柱凸点界面化合物的生长 | 第58-67页 |
| 4.2.1 不同作用时间下铜柱凸点界面化合物成分及厚度的变化 | 第58-62页 |
| 4.2.2 150°C下电流密度对铜柱界面化合物成分及厚度的影响机理 | 第62-67页 |
| 4.3 180°C高电流密度下铜柱凸点界面化合物的生长 | 第67-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-74页 |
| 第五章 全文总结 | 第74-78页 |
| 5.1 主要结论 | 第74-76页 |
| 5.2 不足及展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 攻读硕士学位期间以发表或录用的论文 | 第90-92页 |
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