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InP基光接收器件的研究与制备 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第1-6页 | | ABSTRACT | 第6-8页 | | 目录 | 第8-10页 | | 第一章 绪论 | 第10-18页 | | ·OEIC的概念、发展及应用 | 第10-11页 | | ·光接收机 | 第11-13页 | | ·光探测器 | 第13-15页 | | ·前置放大器 | 第15-16页 | | ·论文的主要研究内容 | 第16-17页 | | 参考文献 | 第17-18页 | | 第二章 HBT的基本理论 | 第18-27页 | | ·HBT发展概况 | 第18-19页 | | ·HBT的原理简介 | 第19-21页 | | ·HBT的优越性 | 第20页 | | ·HBT与场效应晶体管(FET)的比较 | 第20-21页 | | ·衡量HBT器件特性的基本参量 | 第21-23页 | | ·开启(turn-on)电压 | 第21-22页 | | ·集电极-发射极补偿(offset)电压 | 第22页 | | ·击穿(breakdown)电压 | 第22页 | | ·增益(Current Gain) | 第22页 | | ·截止频率f_T和最高振荡频率f_(max) | 第22-23页 | | ·HBT参数提取 | 第23-24页 | | ·用于HBT器件的材料体系 | 第24-25页 | | ·HBT工艺研究进展 | 第25-26页 | | 参考文献 | 第26-27页 | | 第三章 InP基HBT的等效电路仿真 | 第27-38页 | | ·InP基HBT器件结构及参数提取 | 第27-32页 | | ·HBT的参数对f_T和f_(max)的影响 | 第32-34页 | | ·负载R_L对f_T和f_(max)的影响 | 第33页 | | ·偏压V_(BE)的变化对f_T和f_(max)的影响 | 第33-34页 | | ·光接收机的前端放大电路仿真 | 第34-37页 | | ·跨阻R_f对f_T和f_(max)的影响 | 第36-37页 | | ·小结 | 第37页 | | 参考文献 | 第37-38页 | | 第四章 APD的基本理论 | 第38-49页 | | ·光电检测器 | 第38-43页 | | ·PN结的光电效应 | 第39-40页 | | ·波长响应(光谱特性) | 第40-41页 | | ·光电转换效率 | 第41-42页 | | ·响应速度 | 第42-43页 | | ·暗电流 | 第43页 | | ·APD工作原理 | 第43-44页 | | ·APD的结构 | 第44-45页 | | ·APD的平均雪崩增益 | 第45-46页 | | ·APD的过剩噪声 | 第46-47页 | | ·APD的暗电流 | 第47-48页 | | 参考文献 | 第48-49页 | | 第五章 InGaAs/InP APD的后工艺制备 | 第49-62页 | | ·APD器件优化设计 | 第49-50页 | | ·InP基APD器件的材料生长结构 | 第50页 | | ·InP基APD器件制备 | 第50-57页 | | ·InP基APD器件测试 | 第57-61页 | | 参考文献 | 第61-62页 | | 附录 | 第62-70页 | | 致谢 | 第70-71页 | | 作者攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第71页 |
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论文编号BS1640981，这篇论文共71页
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