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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--基于纳米场效应结构的微加速度计的研究
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基于纳米场效应结构的微加速度计的研究
 
     论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第一章 绪论第11-17页
   ·课题背景及意义第11-12页
   ·国内外发展情况介绍第12-16页
   ·本文的主要研究内容第16-17页
第二章 基于纳米场效应结构的微加速度计的原理第17-28页
   ·纳米场效应结构第17-19页
   ·赝配式高电子迁移率晶体管的基本原理介绍第19-24页
     ·PHEMT 模型理论介绍第19-21页
     ·增强体材料载流子对应变调制的理论研究第21-24页
   ·加速度计的力电耦合原理第24-27页
   ·本章小结第27-28页
第三章 基于纳米场效应的微加速度计结构分析与改进第28-41页
   ·GaAs DH-PHEMT 结构设计第28-30页
     ·普通 HEMT 的缺点:第28页
     ·PHEMT 的基本结构:第28-30页
     ·PHEMT 的性能优点:第30页
   ·微加速度计的材料层分析改进第30-33页
     ·单平面掺杂异质结 PHEMT第30-31页
     ·双平面掺杂 PHEMT第31-32页
     ·SH-PHEMT 和 DH-PHEMT 输出特性比较第32-33页
   ·基于纳米场效应结构的微加速度计的设计第33-40页
     ·力学特性分析及参数优化第33-36页
     ·参数分析优化第36页
     ·ANSYS 仿真分析第36-40页
   ·本章小结第40-41页
第四章 基于纳米场效应结构的加速度计的版图设计与工艺第41-56页
   ·微加速度计的版图设计第41-44页
     ·版次说明第41-42页
     ·版图改进第42-44页
   ·微加速度计的工艺第44-53页
     ·关键工艺介绍第45-49页
     ·基于纳米场效应结构的微加速度计的工艺流程第49-51页
     ·实际加工成品观测第51-53页
 4 3 基于纳米场效应结构的微加速度计的优化-硅基 GaAs 薄膜结构的研究第53-55页
     ·硅基 GaAs 薄膜结构的技术挑战第53-54页
     ·STO 缓冲层第54-55页
   ·本章小结第55-56页
第五章 基于纳米场效应结构的微加速度计的输出特性研究第56-72页
   ·基本特性测试第56-59页
     ·I-V 基本特性与转移特性研究第56-57页
     ·稳定性测试第57-58页
     ·漏极负电流现象分析第58-59页
   ·温度特性研究第59-63页
     ·微加速度计温度特性理论分析第59-61页
     ·温度特性实验分析第61-62页
     ·温度测试的偏压调制作用第62-63页
   ·应力对 PHEMT 器件输出特性的影响第63-66页
     ·失配应力对电子迁移率的影响第63-64页
     ·热应力与电性能影响第64-65页
     ·应力与输出之间的分析第65-66页
   ·惯性测试实验第66-71页
     ·静态惯性测试第66-67页
     ·动态惯性测试第67-71页
   ·本章小结第71-72页
第六章 总结与展望第72-74页
参考文献第74-79页
攻读硕士学位期间发表的论文及参与的科研项目第79-81页
致谢第81页

 
 
论文编号BS18381,这篇论文共81
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