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ZnO基半导体p型、稀磁掺杂研究与纳米锂离子电池原位透射电镜分析
 
     论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-14页
第一章 引言第14-18页
第一篇 ZnO基半导体p型和稀磁掺杂研究第18-126页
 第二章 文献综述第20-38页
   ·研究背景第20-21页
   ·ZnO基本性质第21-23页
   ·ZnO薄膜的制备方法第23-24页
     ·脉冲激光沉积第23页
     ·金属有机化学气相沉积第23页
     ·磁控溅射第23-24页
     ·溶胶凝胶法第24页
     ·分子束外延第24页
   ·国内外p型ZnO研究现状第24-29页
     ·Ⅴ族元素掺杂p型ZnO第25-26页
     ·Ⅰ族元素掺杂p型ZnO第26-27页
     ·其他类型p型ZnO第27-28页
     ·p型Zn_(1-x)Mg_xO第28-29页
   ·ZnO基稀磁半导体第29-33页
     ·Co、Mn、Cu等掺杂ZnO基DMS研究现状第29-31页
     ·ZnO稀磁半导体磁性机理第31-33页
   ·ZnO的应用第33-35页
   ·立题依据和研究内容第35-38页
 第三章 脉冲激光沉积原理和实验过程第38-44页
   ·脉冲激光沉积介绍第38-39页
   ·脉冲激光沉积实验设备第39-41页
   ·脉冲激光沉积工艺第41-42页
     ·靶材的制备第41页
     ·衬底的清洗第41-42页
     ·薄膜的制备过程第42页
   ·脉冲激光沉积薄膜性能评价第42-44页
 第四章 Na、K掺杂p型Zn_(1_x)Mg_xO薄膜制备及性能研究第44-72页
   ·薄膜与器件的制备及检测方法第44-45页
     ·薄膜制备方法第44页
     ·器件制备方法第44-45页
     ·检验方法第45页
   ·衬底温度对Na掺杂Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能的影响第45-50页
     ·衬底温度对薄膜结晶质量的影响第45-46页
     ·衬底温度对薄膜电学性能的影响第46-47页
     ·衬底温度对薄膜表面形貌的影响第47-49页
     ·衬底温度对薄膜光学性能的影响第49-50页
   ·Mg含量对Na掺杂p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能的影响第50-58页
     ·Mg含量对薄膜结晶质量的影响第50-52页
     ·Mg含量对薄膜电学性能的影响第52-53页
     ·Mg含量对薄膜光学性能的影响第53-56页
     ·Na掺杂Zn_(0.89)Mg_(0.11)O薄膜成分分析第56页
     ·Na掺杂Zn_(0.89)Mg_(0.11)O薄膜微结构分析第56-57页
     ·Na掺杂Zn_(0.89)Mg_(0.11)O基p-n结器件的制备第57-58页
   ·Na掺杂Zn_(1-x)Mg_xO基LED原型器件的制备第58-62页
     ·LED原型器件整流特性第58-59页
     ·室温电致发光第59-62页
   ·Mg含量对K掺杂Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能的影响第62-70页
     ·Mg含量对薄膜结晶质量的影响第62-63页
     ·Mg含量对薄膜表面形貌的影响第63-64页
     ·Mg含量对薄膜光学性能影响第64-65页
     ·Mg含量与氧压对薄膜电学性能影响第65-67页
     ·Zn_(0.85)Mg_(0.15)O:K薄膜的微观结构第67-68页
     ·Zn_(0.95)Mg_(0.05)O:K薄膜成分分析第68-69页
     ·p-Zn_(0.95)Mg_(0.05)O:K/n-ZnO:Ga异质结研究第69-70页
   ·本章总结第70-72页
 第五章 ZnO基稀磁半导体薄膜制备及性能研究第72-126页
   ·Mn掺杂ZnO基稀磁半导体研究第72-85页
     ·Mn-P共掺杂ZnO基稀磁半导体研究第72-79页
     ·Mn与IA族元素共掺杂ZnO基稀磁半导体研究第79-85页
   ·Co掺杂ZnO基稀磁半导体研究第85-103页
     ·Na和Ga掺杂对ZnCoO薄膜的影响第85-94页
     ·Li掺杂对ZnCoO薄膜的影响第94-103页
   ·Cu掺杂ZnO基稀磁半导体研究第103-115页
     ·Cu、Cu-Ga、Cu-Na共同掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜的性能研究第103-111页
     ·Cu-Li共同掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜的性能研究第111-115页
   ·Mn-Na共掺非极性ZnO薄膜的制备第115-123页
     ·实验方法第116-117页
     ·结果与讨论第117-123页
     ·结论第123页
   ·本章总结第123-126页
第二篇 纳米锂离子电池原位透射电镜分析第126-178页
 第六章 锂离子电池介绍第128-136页
   ·引言第128-129页
   ·锂离子电池的工作原理第129页
   ·锂离子电池的研究现状第129-135页
     ·正极材料第129-133页
     ·电解质第133页
     ·负极材料第133-135页
   ·选题依据和研究内容第135-136页
 第七章 原位透射电镜研究纳米锂离子电池第136-174页
   ·原位电镜研究SnO_2纳米线锂离子电池第136-143页
     ·背景第136页
     ·实验方法第136-137页
     ·结果与讨论第137-143页
   ·包覆结构SnO_2纳米线在充放电过程中结构和相的变化第143-154页
     ·背景第143页
     ·实验方法第143-144页
     ·结果与讨论第144-154页
   ·SnO_2纳米线在充放电的过程中金属Sn枝晶的产生第154-163页
     ·背景第154-155页
     ·实验方法第155页
     ·结果与讨论第155-163页
   ·Si基纳米锂离子电池原位电镜研究第163-173页
     ·引言第163-164页
     ·结果与讨论第164-173页
   ·本章小结第173-174页
 第八章 总结第174-178页
参考文献第178-204页
致谢第204-206页
个人简历第206-208页
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果第208-211页

 
 
论文编号BS30481,这篇论文共211
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