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场效应器件论文

基于40nm工艺的版图邻近效应研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-15页
第一章 绪论第15-19页
    1.1 研究背景及意义第15-16页
    1.2 国内外研究现状第16-17页
        1.2.1 国外研究现状第16-17页
        1.2.2 国内研究现状第17页
    1.3 论文研究内容与结构安排第17-19页
第二章 版图邻近效应的机理分析及应力模型介绍第19-33页
    2.1 40nm工艺介绍第19-20页
    2.2 应力影响器件性能的物理机制第20-23页
        2.2.1 应力的来源第20-23页
        2.2.2 应力对器件性能的影响第23页
    2.3 版图邻近效应第23-28页
        2.3.1 浅槽隔离应力第24-26页
        2.3.2 阱邻近效应第26页
        2.3.3 栅极间距效应第26-27页
        2.3.4 接触孔应力效应第27-28页
    2.4 应力模型介绍第28-31页
        2.4.1 STI应力模型第28-29页
        2.4.2 WPE应力模型第29-31页
    2.5 本章小结第31-33页
第三章 40nm器件测试结构设计及流片结果分析第33-55页
    3.1 40nm流片版图整体布局第33-34页
    3.2 40nm器件测试结构设计与研究第34-39页
        3.2.1 STI效应组第34-35页
        3.2.2 STIW效应组第35-37页
        3.2.3 dummy-gate组第37-38页
        3.2.4 接触孔效应组第38-39页
    3.3 器件性能测试第39-40页
    3.4 流片结果分析第40-54页
        3.4.1 研究基于实测数据的STI应力效应对器件性能的影响第40-44页
        3.4.2 逐渐改变STIW的距离对器件性能的影响第44-47页
        3.4.3 不同dummy-gate的布局对器件性能的影响第47-50页
        3.4.4 接触孔邻近效应对器件性能的影响第50-54页
    3.5 本章小结第54-55页
第四章 电路版图效应的测试结构设计与研究第55-71页
    4.1 反相器的版图邻近效应研究第55-57页
        4.1.1 针对反相器的版图邻近效应测试结构设计第55-56页
        4.1.2 反相器的版图效应分析第56-57页
    4.2 比较器的版图效应仿真结果对比第57-63页
        4.2.1 针对比较器电路的邻近效应结构设计第57-59页
        4.2.2 比较器的版图效应分析第59-63页
    4.3 稳压器版图效应的测试结构设计及结果分析第63-69页
        4.3.1 稳压器电路的测试结构设计第63-65页
        4.3.2 稳压器电路的邻近效应分析第65-69页
    4.4 电路设计中针对版图效应的考虑第69页
    4.5 本章小结第69-71页
第五章 总结与展望第71-73页
    5.1 总结第71-72页
    5.2 展望第72-73页
参考文献第73-77页
致谢第77-79页
作者简介第79-80页
版图邻近效应论文 STI论文 WPE论文 dummygate论文
论文编号BS3163131,这篇论文共80
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