| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| 1.1 前言 | 第13-14页 |
| 1.2 Zn O材料特性简介 | 第14-20页 |
| 1.2.1 Zn O晶体结构 | 第14-15页 |
| 1.2.2 Zn O能带结构 | 第15-16页 |
| 1.2.3 Zn O晶格动力学 | 第16-17页 |
| 1.2.4 Zn O的电学性能 | 第17-18页 |
| 1.2.5 Zn O的光学性能 | 第18-20页 |
| 1.3 Zn O纳米结构材料的研究现状 | 第20-22页 |
| 1.3.1 Zn O纳米结构材料的种类及其制备方法 | 第20-21页 |
| 1.3.2 Zn O纳米结构材料的物理特性 | 第21-22页 |
| 1.4 Zn O基发光器件研究现状 | 第22-31页 |
| 1.4.1 基于Zn O传统薄膜材料的发光器件 | 第22-26页 |
| 1.4.2 基于Zn O纳米结构材料的发光器件 | 第26-31页 |
| 1.5 本论文的选题依据与研究内容 | 第31-33页 |
| 第二章 Zn O材料制备技术及主要表征分析手段 | 第33-63页 |
| 2.1 Zn O薄膜材料制备技术 | 第33-36页 |
| 2.1.1 MOCVD原理简介 | 第33页 |
| 2.1.2 本论文中用于制备Zn O薄膜的MOCVD系统简介 | 第33-36页 |
| 2.2 材料晶体结构及形貌表征 | 第36-38页 |
| 2.2.1 X射线衍射（XRD） | 第36-38页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第38页 |
| 2.3 光致发光（PL） | 第38-55页 |
| 2.3.1 半导体材料PL原理简介 | 第38页 |
| 2.3.2 Zn O常见PL信号 | 第38-54页 |
| 2.3.2.1 自由激子辐射复合 | 第38-43页 |
| 2.3.2.2 束缚激子辐射复合 | 第43-48页 |
| 2.3.2.3 双电子卫星峰 | 第48-49页 |
| 2.3.2.4 通过施主、受主能级的辐射复合 | 第49-52页 |
| 2.3.2.5 声子伴线 | 第52-54页 |
| 2.3.2.6 近带边及深能级辐射复合 | 第54页 |
| 2.3.3 PL测试系统简介 | 第54-55页 |
| 2.4 霍尔（Hall）测试 | 第55-63页 |
| 2.4.1 范德堡（Van der Pauw）方法测试原理 | 第55-57页 |
| 2.4.2 载流子浓度随温度的变化关系 | 第57-59页 |
| 2.4.3 迁移率随温度的变化关系 | 第59-60页 |
| 2.4.4 多层导电模型 | 第60-62页 |
| 2.4.5 HL5500 Hall测试系统简介 | 第62-63页 |
| 第三章 Zn O纳米柱薄膜制备特性及其光学、电学特性研究 | 第63-107页 |
| 3.1 引言 | 第63页 |
| 3.2 Zn O纳米柱薄膜的制备特性 | 第63-71页 |
| 3.2.1 生长温度对形貌的影响 | 第64-65页 |
| 3.2.2 生长温度对结晶质量的影响 | 第65-67页 |
| 3.2.3 关于生长温度影响的机制性讨论 | 第67-71页 |
| 3.3 Zn O纳米柱薄膜的光学特性 | 第71-95页 |
| 3.3.1 纳米柱与薄膜区域辐射复合特性的差异 | 第71-82页 |
| 3.3.2 生长温度对Zn O纳米柱辐射复合特性的影响 | 第82-89页 |
| 3.3.3 Zn O纳米柱辐射复合特性对衬底的依赖性研究 | 第89-95页 |
| 3.4 Zn O纳米柱薄膜的电学特性 | 第95-106页 |
| 3.4.1 低温生长导致的薄膜区域的电学特性 | 第96-102页 |
| 3.4.2 薄膜区域电学特性随着生长温度升高而发生的演化 | 第102-106页 |
| 3.5 本章小结 | 第106-107页 |
| 第四章 其他Zn O纳米结构薄膜的制备特性及其光学特性研究 | 第107-129页 |
| 4.1 引言 | 第107页 |
| 4.2 Zn O纳米墙薄膜的制备及光学特性 | 第107-117页 |
| 4.2.1 纳米墙薄膜的制备 | 第108-111页 |
| 4.2.2 Zn O纳米墙薄膜辐射复合特性 | 第111-117页 |
| 4.3 Zn O纳米金字塔薄膜的制备及光学特性 | 第117-126页 |
| 4.3.1 纳米金字塔薄膜的制备 | 第118-122页 |
| 4.3.2 纳米金字塔辐射复合特性 | 第122-126页 |
| 4.4 本章小结 | 第126-129页 |
| 第五章 基于Zn O纳米柱薄膜的发光器件研究 | 第129-171页 |
| 5.1 引言 | 第129页 |
| 5.2 基于Zn O纳米柱的Au-Mg O-Zn O结构MIS发光器件研究 | 第129-161页 |
| 5.2.1 器件制备 | 第129-133页 |
| 5.2.2 正偏驱动下器件工作情况及相应机制讨论 | 第133-150页 |
| 5.2.2.1 正偏驱动下器件电致发光情况 | 第134-135页 |
| 5.2.2.2 正偏压驱动下MIS结的若干基础物理问题讨论 | 第135-144页 |
| 5.2.2.3 Mg O层厚度对MIS结正偏压驱动下工作性能的影响 | 第144-150页 |
| 5.2.3 反偏压驱动下器件工作情况及相应机制讨论 | 第150-161页 |
| 5.2.3.1 反偏驱动下器件电致发光情况 | 第150-151页 |
| 5.2.3.2 反偏压驱动下MIS结的若干基础物理问题讨论 | 第151-155页 |
| 5.2.3.3 Mg O层厚度对MIS结反偏压驱动下工作性能的影响 | 第155-161页 |
| 5.3 基于Zn O纳米柱的新型MIPN结发光器件 | 第161-168页 |
| 5.3.1 Zn O基MIPN结发光器件的提出及制备 | 第161-166页 |
| 5.3.2 Zn O基MIPN结发光器件的性能表征 | 第166-168页 |
| 5.4 本章小结 | 第168-171页 |
| 第六章 基于金属衬底的Zn O纳米结构薄膜及其发光器件 | 第171-193页 |
| 6.1 引言 | 第171-172页 |
| 6.2 基于金属衬底Zn O薄膜的探索性制备 | 第172-175页 |
| 6.3 不锈钢衬底上生长温度对Zn O纳米结构薄膜特性的影响 | 第175-185页 |
| 6.3.1 生长温度对结晶质量及形貌的影响 | 第175-178页 |
| 6.3.2 生长温度对辐射复合特性的影响 | 第178-185页 |
| 6.4 基于不锈钢衬底的Zn O纳米柱发光器件 | 第185-191页 |
| 6.4.1 器件制备 | 第185-186页 |
| 6.4.2 器件性能表征 | 第186-188页 |
| 6.4.3 器件工作机制讨论 | 第188-191页 |
| 6.5 本章小结 | 第191-193页 |
| 参考文献 | 第193-215页 |
| 结论 | 第215-219页 |
| 本论文的创新点 | 第219-221页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第221-225页 |
| 致谢 | 第225-226页 |
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