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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--GaN/InN核壳纳米线制备及应用研究
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GaN/InN核壳纳米线制备及应用研究
 
     论文目录
 
摘要第3-4页
abstract第4-5页
1 绪论第8-16页
    1.1 引言第8页
    1.2 纳米半导体材料第8-10页
        1.2.1 纳米半导体材料概述第8页
        1.2.2 纳米半导体材料特性第8-9页
        1.2.3 纳米半导体异质结构第9-10页
    1.3 纳米半导体材料制备技术第10-11页
        1.3.1 气相生长纳米结构第10-11页
        1.3.2 液相生长纳米结构第11页
    1.4 GaN与InN及其核壳异质结构纳米线第11-14页
        1.4.1 GaN与InN的性质第11-12页
        1.4.2 GaN与InN材料的制备方法第12页
        1.4.3 核壳纳米线的制备及应用第12-14页
        1.4.4 核壳界面应变和量子限制效应第14页
    1.5 本文选题依据及主要研究内容第14-16页
        1.5.1 选题依据第14-15页
        1.5.2 主要研究内容第15-16页
2 GaN/InN核壳纳米线的制备及表征第16-38页
    2.1 实验原料及实验仪器第16-20页
        2.1.1 实验原料第16页
        2.1.2 实验设备及表征仪器第16-20页
    2.2 衬底的处理第20-22页
        2.2.1 Si衬底的清洗第21页
        2.2.2 催化剂颗粒的形成第21-22页
    2.3 GaN纳米线的生长第22-25页
        2.3.1 实验过程及样品表征第22-24页
        2.3.2 GaN纳米线的生长机理第24-25页
    2.4 GaN/InN核壳纳米线的制备第25-36页
        2.4.1 实验方案第25页
        2.4.2 实验过程及样品表征第25-35页
        2.4.3 GaN/InN核壳纳米线的生长机理第35-36页
    2.5 GaN/InN核壳纳米线的光致发光特性第36-37页
    2.6 本章小结第37-38页
3 GaN/InN核壳纳米线的理论研究第38-60页
    3.1 引言第38页
    3.2 计算方法第38-43页
        3.2.1 第一性原理第38-39页
        3.2.2 密度泛函理论第39-41页
        3.2.3 MaterialsStudio及VASP简介第41页
        3.2.4 软件设置参数第41-42页
        3.2.5 GaN/InN核壳纳米线模型构建第42-43页
    3.3 计算结果与讨论第43-57页
        3.3.1 吸附能第43-44页
        3.3.2 能带与态密度第44-48页
        3.3.3 差分电荷密度第48-49页
        3.3.4 功函数第49页
        3.3.5 光学性质第49-57页
    3.4 本章小结第57-60页
4 结论与展望第60-62页
    4.1 本文的主要结论第60-61页
    4.2 展望第61-62页
致谢第62-64页
参考文献第64-68页
附录第68页

 
 
论文编号BS3638031,这篇论文共68
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