| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 符号说明 | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·纳米半导体材料 | 第11-12页 |
| ·半导体纳米线的性质、结构和应用 | 第12-14页 |
| ·论文的结构安排 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-17页 |
| 第二章 纳米线的生长方法与测试方法 | 第17-31页 |
| ·纳米结构的制备方法 | 第17-23页 |
| ·气相生长纳米结构 | 第17-22页 |
| ·溶液法 | 第22-23页 |
| ·应变自组装生长纳米半导体结构 | 第23页 |
| ·外延材料的表征方法和测试技术 | 第23-29页 |
| ·光致发光技术(PL) | 第24-26页 |
| ·扫描电子显微镜技术(SEM) | 第26-27页 |
| ·透射电子显微镜术(TEM) | 第27-29页 |
| ·本章小节 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第三章 双异质结构的理论实验研究 | 第31-49页 |
| ·国内外研究成果 | 第31-34页 |
| ·突变异质结的能带分析 | 第34-36页 |
| ·双异质结纳米结构的能带分析 | 第36-38页 |
| ·生长实验方案 | 第38-40页 |
| ·GaAs纳米线的生长 | 第38-39页 |
| ·GaAs/In_xGa_(1-x)As/GaAs双异质结纳米线的生长 | 第39-40页 |
| ·实验结果分析 | 第40-46页 |
| ·外貌对比和机理分析 | 第40-43页 |
| ·GaAs/InAs/GaAs纳米线的晶体结构 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 渐变缓冲层在异质结构中的理论和实验研究 | 第49-65页 |
| ·轴向异质纳米线的临界半径 | 第49-54页 |
| ·含有组分渐变缓冲层轴向异质结构纳米线的应变分析 | 第54-56页 |
| ·生长实验方案 | 第56-57页 |
| ·插入渐变缓冲层的GaAs/In_xGa_(1-x)As/InAs纳米线 | 第56-57页 |
| ·插入渐变缓冲层的GaAs/In_xGa_(1-x)As/InAs/GaAs纳米线 | 第57页 |
| ·实验结果分析 | 第57-63页 |
| ·GaAs/In_xGa_(1-x)As/InAs纳米线晶体结构研究和分析 | 第57-59页 |
| ·GaAs/In_xGa_(1-x)As/InAs/GaAs纳米线研究和分析 | 第59-63页 |
| ·本章总结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 攻读学位期间发表的论文题目 | 第67页 |
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