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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--膦酸自组装层(SAMs)在n型有机场效应晶体管(OFETs)中的应用
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膦酸自组装层(SAMs)在n型有机场效应晶体管(OFETs)中的应用
 
     论文目录
 
中文摘要第3-4页
英文摘要第4-5页
专业术语列表第8-9页
1 绪论第9-15页
    1.1 引言第9页
    1.2 OFETs的研究历史及现状第9-11页
    1.3 OFETs的潜在应用领域及应用面临的问题第11-14页
        1.3.1 有机场效应晶体管潜在的应用领域第11-13页
        1.3.2 有机场效应晶体管应用面临的问题第13-14页
    1.4 本论文研究的内容及意义第14-15页
2 OFETs器件理化基础介绍第15-33页
    2.1 OFETs器件的构造与制备技术第15-18页
        2.1.1 有机场效应晶体管的构造第15-16页
        2.1.2 OFETs器件的制备技术第16-18页
    2.2 OFETs器件的工作模式与电荷传输机理第18-21页
        2.2.1 有机场效应晶体管的工作模式第18-20页
        2.2.2 有机场效应晶体管OSC层中的电荷传输机理第20-21页
    2.3 OFETs器件的表征与关键性能参数第21-23页
        2.3.1 输出与转移特征曲线第21-23页
        2.3.2 阈值电压第23页
        2.3.3 载流子迁移率第23页
        2.3.4 开关电流比第23页
    2.4 有机半导体材料简介与n型有机半导体材料的研究现状第23-29页
        2.4.1 p型有机半导体材料第24-26页
        2.4.2 n型有机半导体材料第26-29页
        2.4.3 双极性有机半导体材料第29页
    2.5 自组装分子修饰OFETs器件绝缘层表面及自组装分子简介第29-33页
        2.5.1 自组装分子修饰OFETs器件绝缘层表面的意义第29-30页
        2.5.2 修饰绝缘层表面常用的自组装分子及自组装原理简介第30-33页
3 膦酸自组装分子的设计合成及SAMs薄膜的制备第33-43页
    3.1 研究背景第33-34页
    3.2 实验试剂与仪器设备第34-35页
    3.3 膦酸分子的设计与合成第35-38页
        3.3.1 6-萘氧基己基膦酸(NaPA)的合成第36-37页
        3.3.2 蒽基甲基膦酸(AnPA)的合成第37-38页
    3.4 基片的清洗与SAMs薄膜的制备第38-40页
        3.4.1 清洗基片第38-39页
        3.4.2 制备膦酸自组装分子的SAMs薄膜第39-40页
    3.5 SAMs薄膜的表征及结果第40-42页
    3.6 本章小结第42-43页
4 PDI类n型有机半导体材料的合成、器件的制备及研究第43-73页
    4.1 研究背景第43页
    4.2 实验试剂与设备第43-45页
    4.3 苝二酰亚胺衍生物n型有机半导体材料的合成与表征第45-52页
        4.3.1 化学合成苝二酰亚胺衍生物第45-47页
        4.3.2 热重分析第47-49页
        4.3.3 LUMO能级的测定第49-52页
    4.4 OFETs器件的制备第52-54页
    4.5 OFETs器件性能的表征结果与讨论第54-66页
        4.5.1 OFETs器件性能的表征结果(Au作为电极)第54-63页
        4.5.2 SAMs薄膜修饰绝缘层表面对器件性能的影响第63-64页
        4.5.3 基底温度对器件性能的影响第64-65页
        4.5.4 电极材料对器件性能的影响:Ag做电极的尝试第65-66页
    4.6 OFETs器件OSC多晶薄膜的形貌表征:薄膜形貌与器件性能关系的探讨第66-68页
    4.7 苝二酰亚胺衍生物分子结构和材料半导体性能的关系的简单探讨第68-70页
    4.8 本章小结第70-73页
5 研究结论与展望第73-75页
致谢第75-77页
参考文献第77-85页
附图第85-89页
附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文和专利第89页

 
 
论文编号BS2733882,这篇论文共89
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