摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第12-36页 |
1.1 传感器概述 | 第12-13页 |
1.2 电化学传感器 | 第13-18页 |
1.2.1 电化学传感器分类 | 第13-14页 |
1.2.2 葡萄糖酶传感器 | 第14-16页 |
1.2.3 无酶葡萄糖传感器 | 第16-17页 |
1.2.4 电化学传感器的研究进展 | 第17-18页 |
1.3 氧化物半导体气体传感器 | 第18-22页 |
1.3.1 气体传感器的简介及分类 | 第18-19页 |
1.3.2 氧化物半导体气体传感器的研究进展 | 第19-21页 |
1.3.3 半导体气体传感器的敏感机理 | 第21-22页 |
1.4 多孔泡沫金属材料 | 第22-25页 |
1.4.1 多孔泡沫金属材料简介 | 第22-23页 |
1.4.2 泡沫镍基底在传感器中的应用 | 第23-25页 |
1.5 本论文的研究目的与创新点 | 第25-28页 |
参考文献 | 第28-36页 |
第二章 泡沫镍基氧化铟/氧化镍复合材料的生长与葡萄糖敏感特性研究 | 第36-66页 |
2.1 引言 | 第36-37页 |
2.2 复合材料的原位生长与葡萄糖敏感特性研究 | 第37-52页 |
2.2.1 实验设计与过程 | 第37-41页 |
2.2.2 结果与讨论 | 第41-51页 |
2.2.3 小结 | 第51-52页 |
2.3 络合剂辅助氧化法制备复合材料及其葡萄糖敏感特性研究 | 第52-61页 |
2.3.1 实验设计与过程 | 第52-54页 |
2.3.2 结果与讨论 | 第54-61页 |
2.3.3 小结 | 第61页 |
2.4 本章小结 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-66页 |
第三章 泡沫镍基氧化锡/氧化铟/氧化镍 复合材料的生长与葡萄糖敏感特性研究 | 第66-82页 |
3.1 引言 | 第66页 |
3.2 实验设计与过程 | 第66-68页 |
3.3 结果与讨论 | 第68-78页 |
3.3.1 结构与形貌分析 | 第68-70页 |
3.3.2 生长条件对电极敏感特性的影响 | 第70-76页 |
3.3.3 葡萄糖敏感特性的电流-时间检测 | 第76-78页 |
3.4 本章小结 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-82页 |
第四章 泡沫镍表面氧化镍的生长及其乙醇敏感特性研究 | 第82-106页 |
4.1 引言 | 第82-84页 |
4.2 气敏材料测试系统的组建 | 第84-92页 |
4.2.1 测试箱 | 第84-85页 |
4.2.2 测试台 | 第85-89页 |
4.2.3 硬件电路 | 第89-91页 |
4.2.4 测试软件 | 第91-92页 |
4.2.5 小结 | 第92页 |
4.3 泡沫镍表面p型氧化镍的生长与乙醇敏感特性研究 | 第92-101页 |
4.3.1 实验设计与过程 | 第92-94页 |
4.3.2 结果与讨论 | 第94-101页 |
4.3.3 小结 | 第101页 |
4.4 本章小结 | 第101-103页 |
参考文献 | 第103-106页 |
第五章 泡沫镍@氧化镍基底氧化铟的生长及其气敏特性的研究 | 第106-132页 |
5.1 引言 | 第106页 |
5.2 氧化铟的水热法制备与乙醇敏感特性研究 | 第106-119页 |
5.2.1 实验设计与过程 | 第106-108页 |
5.2.2 结果与讨论 | 第108-118页 |
5.2.3 小结 | 第118-119页 |
5.3 氧化铟的模板法制备与乙醇敏感特性研究 | 第119-126页 |
5.3.1 实验设计与过程 | 第119-120页 |
5.3.2 结果与讨论 | 第120-125页 |
5.3.3 小结 | 第125-126页 |
5.4 氧化铟修饰对气敏特性影响的研究 | 第126-129页 |
5.5 本章小结 | 第129-130页 |
参考文献 | 第130-132页 |
第六章 泡沫镍@氧化镍基底上二氧化锡的生长及其乙醇敏感特性研究 | 第132-156页 |
6.1 引言 | 第132页 |
6.2 二氧化锡纳米材料的生长与乙醇敏感特性研究 | 第132-138页 |
6.2.1 实验设计与过程 | 第132-134页 |
6.2.2 结果与讨论 | 第134-138页 |
6.2.3 小结 | 第138页 |
6.3 泡沫镍@氧化镍@二氧化锡的掺杂改性 | 第138-142页 |
6.3.1 实验设计与过程 | 第139-140页 |
6.3.2 结果与讨论 | 第140-141页 |
6.3.3 小结 | 第141-142页 |
6.4 等效电路与机理分析 | 第142-153页 |
6.4.1 接触势垒和pn结的形成 | 第142-144页 |
6.4.2 吸附气体前后半导体能带的变化 | 第144-146页 |
6.4.3 等效电路的建立 | 第146-148页 |
6.4.4 吸附气体前后等效电路的变化及影响灵敏度的因素 | 第148-149页 |
6.4.5 泡沫镍基底对导通位置的影响 | 第149-150页 |
6.4.6 导通位置对灵敏度的影响 | 第150-153页 |
6.5 本章小结 | 第153-154页 |
参考文献 | 第154-156页 |
第七章 结论与展望 | 第156-160页 |
作者简介及科研成果 | 第160-162页 |
致谢 | 第162页 |