| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.1.1 脉冲功率系统 | 第8页 |
| 1.1.2 脉冲功率开关 | 第8-9页 |
| 1.2 重复频率脉冲功率技术 | 第9-10页 |
| 1.2.1 国内外研究现状 | 第9页 |
| 1.2.2 重复频率脉冲功率技术的发展趋势 | 第9-10页 |
| 1.3 固态开关器件简介 | 第10-11页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第11-12页 |
| 2 SI-GaAs自击穿产生高压纳秒电脉冲 | 第12-20页 |
| 2.1 SI-GaAs材料特性 | 第12-14页 |
| 2.1.1 GaAs材料的性质 | 第12-13页 |
| 2.1.2 SI-GaAs中的EL2深缺陷能级 | 第13页 |
| 2.1.3 GaAs中的雪崩击穿 | 第13-14页 |
| 2.2 光电导开关高倍增模式 | 第14-15页 |
| 2.3 SI-GaAs自击穿样品的工作模式及特点 | 第15-18页 |
| 2.4 SI-GaAs自击穿样品的工作原理 | 第18页 |
| 2.5 存在的问题 | 第18-19页 |
| 2.6 本章小结 | 第19-20页 |
| 3 基于MOSFET控制SI-GaAs自击穿样品重频运行 | 第20-42页 |
| 3.1 基于SI-GaAs自击穿样品重频运行设计思路 | 第20-22页 |
| 3.2 基于SI-GaAs自击穿样品重频运行方案 | 第22-23页 |
| 3.3 辅助断路开关选型及驱动电路设计 | 第23-30页 |
| 3.3.1 辅助断路开关选型 | 第23-24页 |
| 3.3.2 MOSFET驱动电路设计 | 第24-30页 |
| 3.4 基于MOSFET控制SI-GaAs自击穿样品重频运行实验 | 第30-35页 |
| 3.4.1 方案一关断电源实验结果 | 第30-31页 |
| 3.4.2 方案二A短路储能电容实验 | 第31-33页 |
| 3.4.3 方案二B关断放电回路实验 | 第33-34页 |
| 3.4.4 重频运行方案结果分析 | 第34-35页 |
| 3.5 方案二B中储能电容对重频运行输出波形的影响 | 第35-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-42页 |
| 4 SI-GaAs自击穿样品延迟特性的研究 | 第42-52页 |
| 4.1 开关器件的延迟 | 第42-43页 |
| 4.2 SI-GaAs样品输出的电脉冲延迟特性的研究 | 第43-48页 |
| 4.2.1 延迟时间测定的基本方法 | 第43-44页 |
| 4.2.2 SI-GaAs自击穿样品延迟特性实验验证研究 | 第44-46页 |
| 4.2.3 储能电容对SI-GaAs延迟时间的影响 | 第46-48页 |
| 4.3 高压纳秒脉冲触发点与击穿关联性的实验验证 | 第48-50页 |
| 4.3.1 实验验证 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 5 基于延迟击穿现象分析纳秒级电脉冲输出特性 | 第52-58页 |
| 5.1 基于时间延迟现象解释脉冲输出特性 | 第52-57页 |
| 5.2 本章小结 | 第57-58页 |
| 6 结论与展望 | 第58-60页 |
| 6.1 研究工作总结 | 第58页 |
| 6.2 展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
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