| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| 1.1 集成电路封装简介 | 第13-16页 |
| 1.1.1 集成电路封装的作用 | 第13-14页 |
| 1.1.2 集成电路封装的发展历程 | 第14-16页 |
| 1.2 转接板技术 | 第16-19页 |
| 1.2.1 硅转接板 | 第16-17页 |
| 1.2.2 玻璃基转接板 | 第17-18页 |
| 1.2.3 聚合物基转接板 | 第18-19页 |
| 1.3 聚合物基复合材料在转接板中的应用 | 第19-20页 |
| 1.4 课题的研究意义和主要研究内容 | 第20-22页 |
| 1.4.1 课题研究的意义 | 第20-21页 |
| 1.4.2 课题研究的内容 | 第21-22页 |
| 1.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 第二章 含有复合增强机制的聚合物基转接板的设计 | 第23-30页 |
| 2.1 复合增强型聚合物基转接板的设计 | 第23-24页 |
| 2.2 材料的选择 | 第24-26页 |
| 2.2.1 基体材料的选择 | 第24-25页 |
| 2.2.2 增强体的选择 | 第25-26页 |
| 2.3 增强原理 | 第26-29页 |
| 2.3.1 有序增强机制 | 第26-28页 |
| 2.3.2 无序增强机制 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 晶须增强聚合物复合材料的研究 | 第30-43页 |
| 3.1 碳化硅晶须增强聚酰亚胺复合材料薄膜制备方法的选择 | 第30-33页 |
| 3.1.1 球磨混合 | 第30-31页 |
| 3.1.2 高速机械搅拌 | 第31-32页 |
| 3.1.3 球磨混合与机械搅拌混合工艺的对比 | 第32-33页 |
| 3.2 碳化硅晶须掺杂比例对复合材料薄膜性能的影响 | 第33-42页 |
| 3.2.1 不同质量分数的碳化硅晶须在聚酰亚胺基体中的分散情况 | 第33-35页 |
| 3.2.2 碳化硅晶须掺杂含量对复合材料薄膜性能的影响 | 第35-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 金属增强聚合物基转接板的仿真 | 第43-55页 |
| 4.1 金属增强聚合物基转接板的建模 | 第43-44页 |
| 4.1.1 网状金属结构增强聚合物基转接板模型 | 第43-44页 |
| 4.1.2 网状金属结构和金属啮合微结构共同增强聚合物基转接板模型 | 第44页 |
| 4.2 金属增强聚合物基转接板的仿真 | 第44-54页 |
| 4.2.1 金属增强聚合物基转接板的刚度仿真 | 第45-48页 |
| 4.2.2 金属增强聚合物基转接板的热膨胀系数仿真 | 第48-51页 |
| 4.2.3 金属增强聚合物基转接板的热导率仿真 | 第51-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 复合增强型聚合物基转接板的制备工艺 | 第55-62页 |
| 5.1 MEMS微加工工艺 | 第55-58页 |
| 5.1.1 MEMS加工技术分类 | 第55-56页 |
| 5.1.2 溅射 | 第56页 |
| 5.1.3 光刻 | 第56-57页 |
| 5.1.4 电镀 | 第57-58页 |
| 5.2 复合增强型聚合物基转接板的制备工艺 | 第58-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 金属增强聚合物基转接板的性能表征 | 第62-72页 |
| 6.1 金属增强聚合物基转接板的力学性能表征 | 第62-64页 |
| 6.2 金属增强聚合物基转接板的热学性能表征 | 第64-67页 |
| 6.2.1 热导率 | 第64-65页 |
| 6.2.2 热膨胀系数 | 第65-67页 |
| 6.3 金属增强聚合物基转接板的电学性能表征 | 第67-70页 |
| 6.3.1 金属柱的导通性测试 | 第67-69页 |
| 6.3.2 转接板的导通性测试 | 第69-70页 |
| 6.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第七章 总结与展望 | 第72-76页 |
| 7.1 研究的主要内容与结论 | 第72-74页 |
| 7.2 主要创新点 | 第74页 |
| 7.3 展望与下一步设想 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第83页 |
广告服务 
